| 型號(hào)： | IDT71V35761YSA200BGI |
| 廠商： | IDT, Integrated Device Technology Inc |
| 文件頁數(shù)： | 6/21頁 |
| 文件大?。?/td> | 0K |
| 描述： | IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA |
| 標(biāo)準(zhǔn)包裝： | 84 |
| 格式 - 存儲(chǔ)器： | RAM |
| 存儲(chǔ)器類型： | SRAM - 同步 |
| 存儲(chǔ)容量： | 4.5M（128K x 36） |
| 速度： | 200MHz |
| 接口： | 并聯(lián) |
| 電源電壓： | 3.135 V ~ 3.465 V |
| 工作溫度： | -40°C ~ 85°C |
| 封裝/外殼： | 119-BGA |
| 供應(yīng)商設(shè)備封裝： | 119-PBGA（14x22） |
| 包裝： | 托盤 |
| 其它名稱： | 71V35761YSA200BGI |