參數(shù)資料
型號: IDT71V35761YSA200BGI
廠商: IDT, Integrated Device Technology Inc
文件頁數(shù): 11/21頁
文件大?。?/td> 0K
描述: IC SRAM 4MBIT 200MHZ 119BGA
標(biāo)準(zhǔn)包裝: 84
格式 - 存儲器: RAM
存儲器類型: SRAM - 同步
存儲容量: 4.5M(128K x 36)
速度: 200MHz
接口: 并聯(lián)
電源電壓: 3.135 V ~ 3.465 V
工作溫度: -40°C ~ 85°C
封裝/外殼: 119-BGA
供應(yīng)商設(shè)備封裝: 119-PBGA(14x22)
包裝: 托盤
其它名稱: 71V35761YSA200BGI