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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3559S85BQ |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| 中文描述： | 256K X 18 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/28頁 |
| 文件大小： | 996K |
| 代理商： | IDT71V3559S85BQ |
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6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
3
Functional Block Diagram 128K x 36
Clk
D
Q
D
Q
D
Q
Address A [0:16]
Control Logic
Address
Control
DI
DO
I
5282 drw 01
Clock
Data I/O [0:31], I/O P[1:4]
Mux
Sel
Gate
OE
CE
1
, CE
2
CE
2
R/
CEN
W
ADV/
BW
x
LD
LBO
128K x 36 BIT
MEMORY ARRAY
,
JTAG
(SA Version)
TMS
TDI
TCK
(optional)
TDO
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| IDT71V3559S85BQI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
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| IDT71V3559S85BQG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x20） 包裝:托盤 |
| IDT71V3559S85BQI | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 異步 存儲容量:16M（2M x 8，1M x 16） 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA（6x8） 包裝:帶卷 (TR) |
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