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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71V3557SA85BQI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| 中文描述： | 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 3/28頁 |
| 文件大小： | 996K |
| 代理商： | IDT71V3557SA85BQI |
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6.42
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
3
Functional Block Diagram 128K x 36
Clk
D
Q
D
Q
D
Q
Address A [0:16]
Control Logic
Address
Control
DI
DO
I
5282 drw 01
Clock
Data I/O [0:31], I/O P[1:4]
Mux
Sel
Gate
OE
CE
1
, CE
2
CE
2
R/
CEN
W
ADV/
BW
x
LD
LBO
128K x 36 BIT
MEMORY ARRAY
,
JTAG
(SA Version)
TMS
TDI
TCK
(optional)
TDO
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71V3557SA85PF | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3557SA85PFI | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 0.68uF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: +/-20%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: Z5U; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 |
| IDT71V3559SA80BQI | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559SA85BG | 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs |
| IDT71V3559SA85BGI | Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 82pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 500V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT71V3557SA85BQI8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 85NS 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S100BG | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S100BG8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 119BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S100BQ | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| IDT71V3558S100BQ8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 100MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:576 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:閃存 - NAND 存儲容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應商設備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
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