參數(shù)資料
型號(hào)： IDT71V3557SA85BQI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
中文描述： 128K X 36 ZBT SRAM, 8.5 ns, PBGA165
封裝： 13 X 15 MM, FBGA-165
文件頁數(shù)： 28/28頁
文件大?。?/td> 996K
代理商： IDT71V3557SA85BQI
6.42
28
IDT71V3557, IDT71V3559, 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous SRAMs with
ZBT Feature, 3.3V I/O, Burst Counter, and Flow-Through Outputs Commercial and Industrial Temperature Ranges
Datasheet Document History
CORPORATE HEADQUARTERS
2975 Stender Way
Santa Clara, CA 95054
for SALES:
800-345-7015 or 408-727-6116
fax: 408-492-8674
www.idt.com
for Tech Support:
sramhelp@idt.com
800-544-7726
ZBT and ZeroBus Turnaround are trademarks of Integrated Device Technology, Inc. and the architecture is supported by Mcron Technology and Motorola Inc.
6/30/99
8/23/99
Updated to new format
Added Pin 64 to Note 1 and changed Pins 38, 42, and 43 to DNU
Changed U2–U6 to DNU
Improved t
CH
, t
CL
; revised t
CLZ
Added BGA package diagrams
Added Datasheet Document History
Added Industrial Temperature range offerings
Insert clarification note to Recommended OperatingTemperature and Absolute Max ratings
tables
Clarify note on TQFP and BGA pin configurations; corrected typo in pinout
Add BGA capacitance table
Add TQFP Package DiagramOutline
Add new package offering 13 x 15mm 165 fBGA
Correct 119 BGA Package DiagramOutline
Add ZZ sleep mode reference note to TQFP, BG119 and BQ165
Update BQ165 pinout
Update BG119 pinout package diagramdimensions
Remove prelimnary status
Add reference note to pin N5 on BQ165 pinout, reserved for JTAG
TRST
Added JTAG "SA" version functionality and updated ZZ pin descriptions and notes.
Updated pin configuration for the 119 BGA - reordered I/O signals on P6, P7 (128K x 36)
and P7, N6, L6, K7, H6, G7, F6, E7, D6 (256K x 18).
Pg. 5, 6
Pg. 7
Pg. 15
Pg. 21
Pg. 23
Pg. 5, 14, 15, 22
Pg. 5,6
12/31/99
05/02/00
Pg. 5,6,7
Pg. 6
Pg. 21
05/26/00
Pg. 23
Pg. 5-8
Pg. 8
Pg. 23
07/26/00
10/25/00
Pg. 8
Pg. 1-8,15,22,23,27
Pg. 7
05/20/02
10/15/04
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT71V3557SA85PF 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3557SA85PFI Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 0.68uF; Working Voltage (Vdc)[max]: 50V; Capacitance Tolerance: +/-20%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: Z5U; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250
IDT71V3559SA80BQI 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559SA85BG 128K x 36, 256K x 18, 3.3V Synchronous ZBT SRAMs 3.3V I/O, Burst Counter, Flow-Through Outputs
IDT71V3559SA85BGI Ceramic Conformally Coated / Radial 'Standard & High Voltage Golden Max'; Capacitance [nom]: 82pF; Working Voltage (Vdc)[max]: 500V; Capacitance Tolerance: +/-10%; Dielectric: Multilayer Ceramic, Conformally Coated; Temperature Coefficient: X7R; Lead Style: Radial Leaded; Lead Dimensions: 0.200" Lead Spacing; Body Dimensions: 0.300" x 0.390" x 0.200"; Container: Bag; Qty per Container: 250
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參數(shù)描述
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