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參數(shù)資料
| 型號： | IDT71P74204S333BQ |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| 中文描述： | 2M X 8 QDR SRAM, 0.45 ns, PBGA165 |
| 封裝： | 13 X 15 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
| 文件頁數(shù)： | 12/22頁 |
| 文件大?。?/td> | 592K |
| 代理商： | IDT71P74204S333BQ |
6.42
12
IDT71P74204 (2M x 8-Bit), 71P74104 (2M x 9-Bit), 71P74804 (1M x 18-Bit) 71P74604 (512K x 36-Bit) Advance Information
18 Mb QDR II SRAM Burst of 4 Commercial Temperature Range
PARAMETER
SYMBOL
MIN
MAX
UNIT
NOTES
Input High Voltage, DC
V
IH
(DC
)
V
REF
+0.1
V
DDQ
+0.3
V
1,2
Input Low Voltage, DC
V
IL
(DC)
-0.3
V
REF
-0.1
V
1,3
Input High Voltage, AC
V
IH
(AC)
V
REF
+0.2
-
V
4,5
Input Low Voltage, AC
V
IL
(AC)
-
V
REF
-0.2
V
4,5
6111 tbl 10d
Input Electrical Characteristics Over the Operating Temperature and
Supply Voltage Range
(V
DD
= 1.8 ± 100mV, V
DDQ
= 1.4V to 1.9V)
1. These are DC test criteria. DC design criteria is V
REF
+ 50mV. The AC V
IH
/V
IL
levels are defined separately for measuring timng parameters.
2. V
IH
(Max) DC = V
DDQ
+0.3, V
IH
(Max) AC = V
DD
+0.5V (pulse width <20% tKHKH (mn))
3. V
IL
(Mn) DC = -0.3V, V
IL
(Mn) AC = -0.5V (pulse width <20% tKHKH (mn))
4. This conditon is for AC function test only, not for AC parameter test.
5. To maintain a valid level, the transitioning edge of the input must:
a) Sustain a constant slew rate fromthe current AC level through the target AC level, V
IL
(AC) or V
IH
(AC)
b) Reach at least the target AC level.
c) After the AC target level is reached, continue to maintain at least the target DC level, V
IL
(DC) or V
IH
(DC)
NOTES
:
AC Test Load
Device
Under
Test
R
L
= 50
Z
0
=50
V
DDQ
/2
0.75V
V
REF
OUTPUT
6111 drw 04
ZQ
R
Q
= 250
AC Test Conditions
Parameter
Symbol
Value
Unit
Core Power Supply Voltage
V
DD
1.7-1.9
V
Output Power Supply Voltage
V
DDQ
1.4-1.9
V
Input High/LowLevel
V
IH
/V
IL
1.25/0.25
V
Input Reference Level
VREF
0.75
V
Input Rise/Fall Time
TR/TF
0.6/0.6
ns
Output Timng Reference Level
V
DDQ
/2
V
6111tbl 11a
NOTE:
1. Parameters are tested with RQ=250
1.25V
0.25V
6111 drw 06
0.75V
V
IL
V
DD
V
DD
+0.25
V
DD
+0.5
20%tKHKH(MIN)
6111drw21
V
SS
V
IH
V
SS
-0.25V
V
SS
-0.5V
20% tKHKH(MIN)
6111drw22
Overshoot Timing
Undershoot Timing
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT71P74604 | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S167BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S200BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S250BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
| IDT71P74604S300BQ | 18Mb Pipelined QDR II SRAM Burst of 4 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| IDT71P74604S167BQ8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 167MHZ 165FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:378 系列:- 格式 - 存儲器:閃存 存儲器類型:FLASH 存儲容量:8M（1M x 8，512K x 16） 速度:110ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-CBGA 供應商設備封裝:48-CBGA（7x7） 包裝:托盤 |
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