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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT71321LA45TF |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | SILICONE COATED MIL GRADE WIREWOUND RESISTOR AXIAL LEAD, 1 OHM, 0.1%, 50PPM, ROHS |
| 中文描述： | 高速2K × 8雙端口靜態(tài)RAM的中斷 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/16頁(yè) |
| 文件大小： | 255K |
| 代理商： | IDT71321LA45TF |
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8
IDT7132SA/LA and IDT 7142SA/LA
High Speed 2K x 8 Dual Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Read Cycle No. 1, Either Side
(1)
Timing Waveform of Read Cycle No. 2, Either Side
(1)
NOTES:
1.
2.
R/
W
= V
IH,
CE
= V
IL,
and is
OE
= V
IL.
Address is valid prior to the coincidental with
CE
transition LOW.
t
BDD
delay is required only in the case where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations,
BUSY
has
no relationship to valid output data.
Start of valid data depends on which timing becomes effective last t
AOE
, t
ACE
,
t
AA
, and
t
BDD
.
Timing depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
Timing depends on which signal is de-asserted first,
OE
or
CE
.
3.
4.
5.
ADDRESS
DATA
OUT
t
RC
t
OH
PREVIOUS DATA VALID
t
AA
t
OH
DATA VALID
2692 drw 07
t
BDDH
(2,3)
BUSY
OUT
CE
t
HZ
(5)
t
LZ
(4)
t
PD
(3)
VALID DATA
t
PU
50%
OE
DATA
OUT
CURRENT
I
CC
I
SS
50%
2692 drw 08
t
LZ
(4)
t
HZ
(5)
t
ACE
t
AOE
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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