參數(shù)資料
型號(hào): IDT7130SA35JGB
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
中文描述: 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC52
封裝: 0.750 X 0.750 INCH, 0.170 INCH HEIGHT, GREEN, PLASTIC, LCC-52
文件頁數(shù): 7/19頁
文件大小: 167K
代理商: IDT7130SA35JGB
7
IDT7130SA/LA and IDT7140SA/LA
High-Speed 1K x 8 Dual-Port Static SRAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
5V
1250
*100pF for 55 and 100ns versions
30pF*
775
DATA
OUT
5V
1250
775
5pF*
DATA
OUT
2689 drw 07
5V
270
30pF*
BUSY or INT
*100pF for 55 and 100ns versions
Figure 3.
BUSY
and
INT
AC Output Test Load
Figure 1. Output Test Load
Figure 2. Output Test Load
(for t
HZ
, t
LZ
, t
WZ
, and t
OW
)
*including scope and jig
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timng Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
5ns
1.5V
1.5V
Figures 1,2 and 3
2689 tbl 08
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT7130SA35JGI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA35L48G HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA35L48GB HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA35L48GI HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
IDT7130SA35PFG HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT7130SA35L48B 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48LCC
IDT7130SA35P 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 48DIP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130SA35PF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130SA35PF8 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)
IDT7130SA35TF 功能描述:IC SRAM 8KBIT 35NS 64STQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,000 系列:MoBL® 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 異步 存儲(chǔ)容量:16M(2M x 8,1M x 16) 速度:45ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.2 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-VFBGA(6x8) 包裝:帶卷 (TR)