參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V9289L9PRF8
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： SRAM
英文描述： 64K X 16 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP128
封裝： TQFP-128
文件頁數(shù)： 16/19頁
文件大小： 211K
代理商： IDT70V9289L9PRF8
6.42
6
IDT70V9389/289L
High-Speed 3.3V 64K x18/x16 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial & Commercial Temperature Ranges
NOTES:
1. "H" = VIH, "L" = VIL, "X" = Don't Care.
2.
ADS, CNTEN, CNTRST = X.
3.
OE is an asynchronous input signal.
4.
LB and UB are single buffered regardless of state of FT/PIPE.
5.
CEo and CE1 are single buffered when FT/PIPE = VIL. CEo and CE1 are double buffered when FT/PIPE = VIH, i.e. the signals take two cycles to deselect.
6. I/O8 - I/O15 for IDT70V9289.
7. I/O0 - I/O7 for IDT70V9289.
Truth Table I—Read/Write and Enable Control(1,2,3)
Pin Names
Left Port
Right Port
Names
CE0L, CE1L
CE0R, CE1R
Chip Enables
(3)
R/
WL
R/
WR
Read/Write Enable
OEL
OER
Output Enable
A0L - A15L
A0R - A15R
Address
I/O0L - I/O17L(1)
I/O0R - I/O17R(1)
Data Input/Output
CLKL
CLKR
Clock
UBL
UBR
Upper Byte Select(2)
LBL
LBR
Lower Byte Select
(2)
ADSL
ADSR
Address Strobe Enable
CNTENL
CNTENR
Counter Enable
CNTRSTL
CNTRSTR
Counter Reset
FT/PIPEL
FT/PIPER
Flow-Through / Pipeline
VDD
Power (3.3V)
VSS
Ground (0V)
4856 tbl 01
OE
CLK
CE0(5)
CE1
(5)
UB(4)
LB(4)
R/
W
Upper Byte
I/O9-17
(6)
Lower Byte
I/O0-8
(7)
MODE
X
↑
H
X
High-Z
Deselected–Power Down
X
↑
X
L
X
High-Z
Deselected–Power Down
X
↑
L
H
X
High-Z
Both Bytes Deselected
X
↑
LH
L
DIN
High-Z
Write to Upper Byte Only
X
↑
LH
H
L
High-Z
DATAIN
Write to Lower Byte Only
X
↑
LH
L
DATAIN
Write to Both Bytes
L
↑
LH
H
DATAOUT
High-Z
Read Upper Byte Only
L
↑
LH
H
L
H
High-Z
DATAOUT
Read Lower Byte Only
L
↑
LH
L
H
DATAOUT
Read Both Bytes
H
X
L
H
L
X
High-Z
Outputs Disabled
4856 tbl 02
NOTE:
1. I/O0X - I/O15X for IDT70V9289.
2.
LB and UB are single buffered regardless of state of FT/PIPE.
3.
CEo and CE1 are single buffered when FT/PIPE = VIL,
CEo and CE1 are double buffered when FT/PIPE = VIH,
i.e. the signals take two cycles to deselect.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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710027-5 35 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
710027-2 35 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
710027-1 35 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
710028-8 70 mm2, COPPER ALLOY, TIN FINISH, WIRE TERMINAL
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參數(shù)描述
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IDT70V9289L9PRFI8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 9NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V9349L6BF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 6NS 100FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V9349L6PF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V9349L6PF8 功能描述:IC SRAM 72KBIT 6NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步 存儲(chǔ)容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
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