參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V7339S133DD
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
中文描述： 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PQFP144
封裝： 20 X 20 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-144
文件頁(yè)數(shù)： 16/22頁(yè)
文件大?。?/td> 482K
代理商： IDT70V7339S133DD
6.42
IDT70V7339S
High-Speed 512K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read (
OE
= V
IL
)
(2)
t
CYC1
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read (
OE
Controlled)
(2)
t
CYC1
NOTES:
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determned by the previous cycle control signals.
2.
CE
0
,
UB
/
LB
, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
REPEAT
= V
IH
.
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS
= V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
4. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA
IN
Dn + 2
CE
0
CLK
5628 drw 14
Qn
DATA
OUT
CE
1
UB
/
LB
t
CD1
Qn + 1
t
CH1
t
CL1
t
SD
t
HD
t
CD1
t
CD1
t
DC
t
CKHZ
NOP
Qn + 3
t
CD1
t
DC
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
READ
READ
t
CKLZ
(3)
(1)
t
SW
t
HW
WRITE
(4)
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
t
SD
t
HD
An + 3
An + 4
An + 5
(3)
DATA
IN
Dn + 2
CE
0
CLK
5628 drw 15
Qn
DATA
OUT
CE
1
UB
/
LB
t
CD1
t
CH1
t
CL1
t
CD1
t
DC
Qn + 4
t
CD1
t
DC
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
READ
WRITE
READ
t
CKLZ
(1)
Dn + 3
t
OHZ
t
SW
t
HW
OE
t
OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V7339S133DDI HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7339S166BC HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7339S166BCI HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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IDT70V7339S166BFI HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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參數(shù)描述
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IDT70V7339S166BC 功能描述:IC SRAM 9MBIT 166MHZ 256BGA RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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