- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377287 > IDT70V7319S200DD (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V7319S200DD |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 10 ns, PQFP144 |
| 封裝： | TQFP-144 |
| 文件頁數(shù)： | 20/22頁 |
| 文件大小： | 621K |
| 代理商： | IDT70V7319S200DD |
6.42
20
IDT70V7319S
High-Speed 256K x 18 Synchronous Bank-Switchable Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
JTAG Timing Specifications
t
JCYC
t
JF
t
JCL
t
JR
t
JCH
JTAG AC Electrical
Characteristics
(1,2,3,4)
70V7319
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Units
t
J CYC
JTAG Clock Input Period
100
____
ns
t
JCH
JTAG Clock HIGH
40
____
ns
t
JCL
JTAG Clock Low
40
____
ns
t
JR
JTAG Clock Rise Time
____
3
(1)
ns
t
JF
JTAG Clock Fall Time
____
3
(1)
ns
t
JRST
JTAG Reset
50
____
ns
t
J RSR
JTAG Reset Recovery
50
____
ns
t
JCD
JTAG Data Output
____
25
ns
t
JDC
JTAG Data Output Hold
0
____
ns
t
JS
JTAG Setup
15
____
ns
t
JH
JTAG Hold
15
____
ns
5629 tbl 12
NOTES:
1. Guaranteed by design.
2. 30pF loading on external output signals.
3. Refer to AC Electrical Test Conditions stated earlier in this document.
4. JTAG operations occur at one speed (10MHz). The base device may run at
any speed specified in this datasheet.
TCK
Device Inputs
(1)
/
TDI/TMS
Device Outputs
(2)
/
TDO
TRST
t
JCD
t
JDC
t
JRST
t
JS
t
JH
t
JRSR
5629 drw 21
,
Figure 5. Standard JTAG Timing
NOTES:
1. Device inputs = All device inputs except TDI, TMS, TRST, and TCK.
2. Device outputs = All device outputs except TDO.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V7339S | HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V7339S133BC | HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V7339S133BCI | HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V7339S133BF | HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70V7339S133BFI | HIGH-SPEED 3.3V 512K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V7339S133BC | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V7339S133BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 133MHZ 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。