參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V658S10DRI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 高速3.3 128/64/32K × 36 ASYNCHRONO美國(guó)雙端口靜態(tài)RAM
文件頁(yè)數(shù)： 7/15頁(yè)
文件大小： 190K
代理商： IDT70V658S10DRI
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
15
Ordering Information
NOTE:
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A
Power
99
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I (1)
Commercial (0
°Cto +70°C)
Industrial (-40
°Cto+85°C)
PRF
128-pin TQFP (PK128-1)
7
9
12
XXXXX
Device
Type
IDT
Speed in nanoseconds
4857 drw 19
LLow Power
70V9379 576K (32K x 18-Bit) Synchronous Dual-Port RAM
Commercial Only
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
CORPORATE HEADQUARTERS
for SALES:
for Tech Support:
2975 Stender Way
800-345-7015 or 408-727-6116
831-754-4613
Santa Clara, CA 95054
fax: 408-492-8674
DualPortHelp@idt.com
www.idt.com
Datasheet Document History
9/30/99:
Initial Public Release
11/10/99:
Replace IDT logo
1/17/01:
Page 4
Changed information in Truth Table II
Increased storage temperature parameters
Clarified TA parameter
Page 5
DC Electrical parameters–changed wording from "open" to "disabled"
Changed ±200mV to 0mV in notes
Removed Preliminary status
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT72V211115PF 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211115PFI 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211120PF 3.3 VOLT HIGH DENSITY CMOS SUPERSYNC FIFO
IDT72V211120PFI LED ORANGE 610NM 0603 SMD
IDT72V11165 LED,SUPER RED LST770
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參數(shù)描述
IDT70V658S12BC 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V658S12BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V658S12BCI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V658S12BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V658S12BF 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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