參數(shù)資料
型號: IDT70V658S10DRI
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 128/64/32K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 高速3.3 128/64/32K × 36 ASYNCHRONO美國雙端口靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 12/15頁
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代理商: IDT70V658S10DRI
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
6
AC Test Conditions
Figure 1. AC Output Test load.
Figure 2. Output Test Load
(For tCKLZ, tCKHZ, tOLZ, and tOHZ).
*Including scope and jig.
Figure 3. Typical Output Derating (Lumped Capacitive Load).
4857 drw 04
590
30pF
435
3.3V
DATAOUT
590
5pF*
435
3.3V
DATAOUT
4857 drw 03
1
2
3
4
5
6
7
8
20 40
100
60 80
120 140 160 180 200
tCD1
,
tCD2
(Typical, ns)
Capacitance (pF)
4857 drw 05
-1
0
- 10pF is the I/O capacitance
of this device, and 30pF is the
AC Test Load Capacitance
.
Input Pulse Levels
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V
3ns Max.
1.5V
Figures 1, 2, and 3
4857 tbl 10
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PDF描述
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IDT70V658S12BC8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V658S12BCI 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V658S12BCI8 功能描述:IC SRAM 2MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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