參數(shù)資料
型號： IDT70V639S15BFI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208
封裝： 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208
文件頁數(shù)： 5/23頁
文件大?。?/td> 187K
代理商： IDT70V639S15BFI
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
5
NOTES:
1. V
DD
, OPT
X
, and V
DDQX
must be set to appropriate operating levels prior to
applying inputs on I/O
X
.
2. OPT
X
selects the operating voltage levels for the I/Os and controls on that port.
If OPT
X
is set to V
IH
(3.3V), then that port's I/Os and controls will operate at 3.3V
levels and V
DDQX
must be supplied at 3.3V. If OPT
X
is set to V
IL
(0V), then that
port's I/Os and controls will operate at 2.5V levels and V
DDQX
must be supplied
at 2.5V. The OPT pins are independent of one another—both ports can operate
at 3.3V levels, both can operate at 2.5V levels, or either can operate at 3.3V
with the other at 2.5V.
Left Port
Right Port
Names
CE
0L
,
CE
1L
CE
0R
,
CE
1R
Chip Enables
R/
W
L
R/
W
R
Read/Write Enable
OE
L
OE
R
Output Enable
A
0L
- A
16L
A
0R
- A
16R
Address
I/O
0L
- I/O
17L
I/O
0R
- I/O
17R
Data Input/Output
SEM
L
SEM
R
Semaphore Enable
INT
L
INT
R
Interrupt Flag
BUSY
L
BUSY
R
Busy Flag
UB
L
UB
R
Upper Byte Select
LB
L
LB
R
Lower Byte Select
V
DDQL
V
DDQR
Power (I/O Bus) (3.3V or 2.5V)
(1)
OPT
L
OPT
R
Option for selecting V
DDQX
(1,2)
M/
S
Master or Slave Select
V
DD
Power (3.3V)
(1)
V
SS
Ground (0V)
TDI
Test Data Input
TDO
Test Data Output
TCK
Test Logic Clock (10MHz)
TMS
Test Mode Select
TRST
Reset (Initialize TAP Controller)
5621 tbl 01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V639S15PRF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S15PRFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V7319S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7319S133BC HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7319S133BCI HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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參數(shù)描述
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IDT70V657S10BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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