參數(shù)資料
型號： IDT70V639S15BFI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 128K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208
封裝： 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208
文件頁數(shù)： 13/23頁
文件大小： 187K
代理商： IDT70V639S15BFI
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
13
&.A0'+,.&'0,
"
NOTES:
1. D
OR
= D
OL
= V
IL
,
CE
L
=
CE
R
= V
IH
. Refer also to Truth Table II for appropriate
UB
/
LB
controls.
2. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite fromport "A".
3. This parameter is measured fromR/
W
"A"
or
SEM
"A"
going HIGH to R/
W
"B"
or
SEM
"B"
going HIGH.
4. If t
SPS
is not satisfied,the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
&.A0'.
!"
NOTES:
1.
CE
= V
IH
or
UB
and
LB
= V
IH
for the duration of the above timng (both write and read cycle) (Refer to Chip Enable Truth Table). Refer also to Truth Table II for appropriate
UB
/
LB
controls.
2. "DATA
OUT
VALID" represents all I/O's (I/O
0
- I/O
17
) equal to the semaphore value.
SEM
/
UB
/
LB
(1)
5621 drw 10
t
AW
t
EW
I/O
VALID ADDRESS
t
SAA
R/
W
t
WR
t
OH
t
ACE
VALID ADDRESS
DATA
VALID
IN
DATA
OUT
VALID
(2)
t
DW
t
WP
t
DH
t
AS
t
SWRD
t
AOE
Read Cycle
Write Cycle
A
0
-A
2
OE
t
SOP
t
SOP
SEM
"A"
5621 drw 11
t
SPS
MATCH
R/
W
"A"
MATCH
A
0"A"
-A
2"A"
SIDE
"A"
(2)
SEM
"B"
R/
W
"B"
A
0"B"
-A
2"B"
SIDE
"B"
(2)
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V639S15PRF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S15PRFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V7319S HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7319S133BC HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
IDT70V7319S133BCI HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 SYNCHRONOUS BANK-SWITCHABLE DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
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參數(shù)描述
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IDT70V639S15PRF8 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 15NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10BC 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10BC8 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V657S10BCG 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 10NS 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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