參數(shù)資料
型號: IDT70V639S10PRFI
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 高速3.3 128K的× 18 ASYNCHRONO美國雙端口靜態(tài)RAM
文件頁數(shù): 17/23頁
文件大小: 187K
代理商: IDT70V639S10PRFI
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
17
&'&()))*)
!"
.A)&
"
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
A
may be either the left or right port. Port
B
is the port opposite fromport
A
.
2. Refer to Interrupt Truth Table.
3. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
NOTES:
1. Assumes
BUSY
L
=
BUSY
R
=V
IH
.
2. If
BUSY
L
= V
IL
, then no change.
3. If
BUSY
R
= V
IL
, then no change.
4.
INT
L
and
INT
R
must be initialized at power-up.
5621 drw 16
ADDR
"A"
INTERRUPT SET ADDRESS
CE
"A"
R/
W
"A"
t
AS
t
WC
t
WR
(3)
(4)
t
INS
(3)
INT
"B"
(2)
5621 drw 17
ADDR
"B"
INTERRUPT CLEAR ADDRESS
CE
"B"
OE
"B"
t
AS
t
RC
(3)
t
INR
(3)
INT
"B"
(2)
Left Port
Right Port
Function
R/
W
L
CE
L
OE
L
A
16L
-A
0L
INT
L
R/
W
R
CE
R
OE
R
A
16R
-A
0R
INT
R
L
L
X
1FFFF
X
X
X
X
X
L
(2)
Set Right
INT
R
Flag
X
X
X
X
X
X
L
L
1FFFF
H
(3)
Reset Right
INT
R
Flag
X
X
X
X
L
(3)
L
L
X
1FFFE
X
Set Left
INT
L
Flag
X
L
L
1FFFE
H
(2)
X
X
X
X
X
Reset Left
INT
L
Flag
5621 tbl 16
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V639S12BC HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12BCI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12BF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12BFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S12PRF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT70V639S12BC8 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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IDT70V639S12BF 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C,2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)