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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V639S10PRFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 128K的× 18 ASYNCHRONO美國雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 11/23頁 |
| 文件大小： | 187K |
| 代理商： | IDT70V639S10PRFI |
IDT70V639S
High-Speed 3.3V 128K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
11
&4C4C4
.A+,2
6"
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
,
CE
,
LB
or
UB
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
,
LB
or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
UB
,
LB
5621 drw 06
(4)
(4)
t
AOE
(4)
t
ABE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
(6)
CE
5621 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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