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參數資料
| 型號： | IDT70V631S15BF |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208 |
| 封裝： | 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208 |
| 文件頁數： | 2/23頁 |
| 文件大?。?/td> | 306K |
| 代理商： | IDT70V631S15BF |
IDT70V631S
High-Speed 3.3V 256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Description
The IDT70V631 is a high-speed 256K x 18 Asynchronous Dual-Port
Static RAM. The IDT70V631 is designed to be used as a stand-alone
4608K-bit Dual-Port RAM or as a combination MASTER/SLAVE Dual-
Port RAM for 36-bit-or-more word system. Using the IDT MASTER/
SLAVE Dual-Port RAM approach in 36-bit or wider memory system
applications results n full-speed, error-free operation without the need for
additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
2
address, and I/O pins that permit independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by the chip enables (either
CE
0
or CE
1
) permit the
on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power mode.
The 70V631 can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controlled by the OPT pins. The power supply for
the core of the device (V
DD
) remains at 3.3V.
Pin Configurations
(1,2,3,4)
NOTES:
1. All V
DD
pins must be connected to 3.3V power supply.
2. All V
DDQ
pins must be connected to appropriate power supply: 3.3V if OPT pin for that port is set to V
IH
(3.3V) and 2.5V if OPT pin for that port is
set to V
IL
(0V).
3. All V
SS
pins must be connected to ground.
4. Package body is approximately 15mm x 15mm x 1.4mm with 0.8mm ball pitch.
5. This package code is used to reference the package diagram.
6. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
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INT
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OPT
L
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0L
NC
V
SS
NC
NC
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A
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BUSY
L
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CE
0L
CE
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A
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I/O
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DDQR
V
SS
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DDQL
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DDQR
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DD
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6
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R/
W
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UB
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NC
NC
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NC
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DDQR
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DDQL
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DD
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SS
V
SS
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DDQR
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DDQL
NC
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V
SS
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LB
L
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6L
NC
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SS
NC
V
SS
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6R
NC
NC
V
DDQL
I/O
5L
NC
V
DD
NC
V
SS
I/O
5R
V
SS
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DDQR
I/O
3R
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DDQL
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DD
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R
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R
V
DDQR
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0R
CE
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DDQL
NC
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NC
NC
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OE
R
M/
S
R/
W
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V
DDQL
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2L
OPT
R
NC
I/O
0L
70V631BF
BF-208
(5)
208-Ball BGA
Top View
(6)
5622 tbl 02b
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NC
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DDQR
V
SS
V
DD
V
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NC
V
DD
V
DD
TDO
TDI
TCK
TMS
TRST
V
SS
09/30/03
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V639S | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S10BC | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S10BCI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S10BF | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V639S10BFI | HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| IDT70V631S15PRF | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V631S15PRF8 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 15NS 128TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S10BC | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70V639S10BC8 | 功能描述:IC SRAM 2.25MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
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