參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V631S15BF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 256K X 18 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA208
封裝： 15 X 15 MM, 1.40 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FPBGA-208
文件頁(yè)數(shù)： 11/23頁(yè)
文件大小： 306K
代理商： IDT70V631S15BF
11
IDT70V631S
High-Speed 3.3V 256K x 18 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Waveform of Read Cycles
(5)
t
RC
Timing of Power-Up Power-Down
NOTES:
1. Timing depends on which signal is asserted last,
OE
,
CE
,
LB
or
UB
.
2. Timing depends on which signal is de-asserted first
CE
,
OE
,
LB
or
UB
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timing becomes effective last t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
UB
,
LB
5622 drw 06
(4)
(4)
t
AOE
(4)
t
ABE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
(6)
CE
5622 drw 07
t
PU
I
CC
I
SB
t
PD
50%
50%
.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V639S HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S10BC HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S10BCI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S10BF HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V639S10BFI HIGH-SPEED 3.3V 128K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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