參數資料
型號: IDT70V15L20J
廠商: INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類: DRAM
英文描述: HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述: 8K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68
封裝: 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68
文件頁數: 7/18頁
文件大?。?/td> 167K
代理商: IDT70V15L20J
6.42
IDT70V16/5S/L
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
7
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
PRELIMINARY
0&12&
1+34*
"#
70V16/5X15
Com'l Only
70V16/5X20
Com'l
& Ind
70V16/5X25
Com'l Only
Unit
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
READ CYCLE
t
RC
Read Cycle Time
15
____
20
____
25
____
ns
t
AA
Address Access Time
____
15
____
20
____
25
ns
t
ACE
Chip Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
t
ABE
Byte Enable Access Time
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
t
AOE
Output Enable Access Time
(3)
____
10
____
12
____
13
ns
t
OH
Output Hold fromAddress Change
3
____
3
____
3
____
ns
t
LZ
Output Low-Z Time
(1,2)
3
____
3
____
3
____
ns
t
HZ
Output High-Z Time
(1,2)
____
10
____
12
____
15
ns
t
PU
Chip Enable to Power Up Time
(1,2)
0
____
0
____
0
____
ns
t
PD
Chip Disable to Power Down Time
(1,2)
____
15
____
20
____
25
ns
t
SOP
Semaphore Flag Update Pulse (
OE
or
SEM
)
10
____
10
____
10
____
ns
t
SAA
Semaphore Address Access
(3)
____
15
____
20
____
25
ns
5669 tbl 11
t
RC
R/
W
CE
ADDR
t
AA
t
ACE
OE
5669 drw 06
(4)
(4)
t
AOE
(4)
(1)
t
LZ
t
OH
(2)
t
HZ
(3,4)
t
BDD
DATA
OUT
BUSY
OUT
VALID DATA
(4)
-2*+3
:#
NOTES:
1. Timng depends on which signal is asserted last,
OE
or
CE
.
2. Timng depends on which signal is de-asserted first,
CE
or
OE
.
3. t
BDD
delay is required only in cases where the opposite port is completing a write operation to the same address location. For simultaneous read operations
BUSY
has no relation to valid output data.
4. Start of valid data depends on which timng becomes effective last: t
AOE
, t
ACE
, t
AA
or t
BDD
.
5.
SEM
= V
IH
.
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High-impedance voltage with Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. To access RAM
CE
= V
IL
and
SEM
= V
IH
.
To access semaphore,
CE
= V
IH
and
SEM
= V
IL
.
4. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
相關PDF資料
PDF描述
IDT70V15L20JI HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V15L20PF HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V15L20PFI HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V15L25J HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V15L25JI HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM
相關代理商/技術參數
參數描述
IDT70V15L20PF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V15L20PF8 功能描述:IC SRAM 72KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT70V15L25PF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V15L25PF8 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M(256K x 36) 速度:75ns 接口:并聯 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI
IDT70V15S15PF 功能描述:IC SRAM 72KBIT 15NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口,異步 存儲容量:128K(8K x 16) 速度:15ns 接口:并聯 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應商設備封裝:100-TQFP(14x14) 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF