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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V15L20J |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 8K X 9 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQCC68 |
| 封裝： | 0.95 X 0.95 INCH, 0.17 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/18頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT70V15L20J |
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6.42
IDT70V16/5S/L
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
5
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
PRELIMINARY
0&12&
1+34*
4
5!%!46%!4#
NOTE:
1.
At V
DD
< 2.0V, Input leakages are undefined.
Symbol
Parameter
Test Conditions
70V16/5S
70V16/5L
Unit
Mn.
Max.
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
DD
= 3.6V, V
IN
= 0V t
o
V
DD
___
10
___
5
μA
|
LO
|
Output Leakage Currentt
(1)
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V t
o
V
DD
___
10
___
5
μA
V
OL
Output Low Voltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
2.4
___
V
5669 tbl 08
*++1
+
781
+34
#
'78*
#
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and
functional operation of the device at these or any other conditions above
those indicated in the operational sections of this specification is not implied.
Exposure to absolute maximumrating conditions for extended periods may
affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed V
DD
+ 0.3V.
3. Ambient Temperature Under Bias. No AC Conditions. Chip Deselected.
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" case temperature.
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed V
DD
+ 0.3V.
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
wth Respect to GND
-0.5 to +3.6
V
T
BIAS
(3)
Temperature Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage Temperature
-65 to +150
o
C
T
JN
Junction Temperature
+150
o
C
I
OUT
DC Output Current
50
mA
5669 tbl 04
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
3.3V
+
0.3V
5669 tbl 05
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
DD
Supply Voltage
3.0
3.3
3.6
V
V
SS
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.0
____
V
DD
+0.3
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.3
(1)
____
0.8
V
5669 tbl 06
#
59:; 5%7<=#
NOTES:
1. This parameter is determned by device characteristics but is not production
tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output signals
switch from0V to 3V or from 3V to 0V .
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
5669 tbl 07
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V15L20JI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15L20PF | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V15L25J | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15L25JI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70V15L25PF | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
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