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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V15L15PFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 16/8K × 9雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 11/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 167K |
| 代理商： | IDT70V15L15PFI |
6.42
IDT70V16/5S/L
High-Speed 3.3V 16/8K x 9 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
11
E
L
I
M
I
N
A
R
Y
PRELIMINARY
0&12&
1+34*
A#
NOTES:
1. Port-to-port delay through SRAMcells fromwriting port to reading port, refer to "Timng Waveformof Write with Port-to-Port Read and
BUSY
(M/
S
= V
IH
)".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t
BDD
is a calculated parameter and is the greater of 0, t
WDD
–
t
WP
(actual) or t
DDD
–
t
DW
(actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited during contention.
5. To ensure that a write cycle is completed after contention.
6. 'X' in part numbers indicates power rating (S or L).
BUSY
" :#
70V16/5X15
Coml Ony
70V16/5X20
Coml
& Ind
70V16/5X25
Coml Only
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
BUSY
TIMING (M/
S
= V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time fromAddress Match
____
15
____
20
____
20
ns
t
BDA
BUSY
Disable Time fromAddress Not Matched
____
15
____
20
____
20
ns
t
BAC
BUSY
Access Time fromChip Enable LOW
____
15
____
20
____
20
ns
t
BDC
BUSY
Disable Time fromChip Enable HIGH
____
15
____
17
____
17
ns
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
5
____
5
____
5
____
ns
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3)
____
18
____
30
____
30
ns
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
12
____
15
____
17
____
ns
BUSY
TIMING (M/
S
= V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
0
____
0
____
0
____
ns
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
12
____
15
____
17
____
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(1)
____
30
____
45
____
50
ns
t
DDD
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
____
25
____
35
____
35
ns
5669 tbl 13
5669 drw 12
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD
(3)
t
WDD
-2*+>&
7,
S
54
(<
#
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
=V
IL
.
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL
.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
=V
IL
(SLAVE),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
“
A
”
= V
IH
and
BUSY
“
B
”
input is shown above.
5. All timng is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite fromPort "A".
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V15L20J | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
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| IDT70V15L20PFI | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V15L25J | HIGH-SPEED 3.3V 16/8K X 9 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70V15L20PF8 | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
| IDT70V15L25PF | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V15L25PF8 | 功能描述:IC SRAM 72KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:72 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步 存儲容量:9M（256K x 36） 速度:75ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.135 V ~ 3.465 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:71V67703S75PFGI |
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