- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377279 > IDT70V07S55PFI (Integrated Device Technology, Inc.) HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V07S55PFI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 高速3.3 32K的× 8雙端口靜態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 12/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 174K |
| 代理商： | IDT70V07S55PFI |
IDT70V07S/L
High-Speed 32K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Write with
BUSY
12
Waveform of
BUSY
Arbitration Controlled by
CE
Timing
(1)
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port “A” may be either the left or right port. Port “B” is the port opposite fromPort “A”.
2. If t
APS
is not satisfied, the
BUSY
signal will be asserted on one side or the other, but there is no guarantee on which side busy will be asserted.
Waveform of
BUSY
Arbitration Cycle Controlled by Address Match Timing
(1)
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on Port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes HIGH.
2943 drw 14
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(1)
(2)
2943 drw 15
ADDR
"A"
and
"B"
ADDRESSES MATCH
CE
"A"
CE
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAC
t
BDC
(2)
2943 drw 16
ADDR
"A"
ADDRESS "N"
ADDR
"B"
BUSY
"B"
t
APS
t
BAA
t
BDA
(2)
MATCHING ADDRESS "N"
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V07L25GI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L25JI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L25PFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L35GI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L35PFI | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V08L15PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08L15PF8 | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08L15PFG | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V08L15PFG8 | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 512KBIT 15NS 100TQFP |
| IDT70V08L20PF | 功能描述:IC SRAM 512KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。