參數(shù)資料
型號： IDT70V07L35PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
中文描述： 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP80
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80
文件頁數(shù)： 9/18頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： IDT70V07L35PF
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
6.37
9
TIMING WAVEFORM OF SEMAPHORE READ AFTER WRITE TIMING, EITHER SIDE
(1)
NOTES:
1. D
OR
= D
OL
= V
IL
,
CE
R
=
CE
L
= V
IH
.
2. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite from port "A".
3. This parameter is measured from R/
W
"A"
or
SEM
"A"
going HIGH to R/
W
B
or
SEM
"B"
going HIGH.
4. If t
SPS
is not satisfied, there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
SEM
"A"
2943 drw 12
t
SPS
MATCH
R/
W
"A"
MATCH
A
0"A"
-A
2"A"
SIDE
“A”
(2)
SEM
"B"
R/
W
"B"
A
0"B"
-A
2"B"
SIDE
(2)
“B”
NOTES:
1.
CE
= V
IH
for the duration of the above timing (both write and read cycle).
2. "DATA
OUT
VALID" represents all I/O's (I/O
0
-I/O
7
) equal to the semaphore value.
TIMING WAVEFORM OF SEMAPHORE WRITE CONTENTION
(1,3,4)
SEM
2943 drw 11
t
AW
t
EW
t
SOP
I/O
0
VALID ADDRESS
t
SAA
R/
W
t
WR
t
OH
t
ACE
VALID ADDRESS
DATA
IN
VALID
DATA
OUT
VALID
(2)
t
DW
t
WP
t
DH
t
AS
t
SWRD
t
AOE
Read Cycle
Write Cycle
A
0
-A
2
OE
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V07L55G 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT70V07L55J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07L55PF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S25G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70V07L35PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
IDT70V07L35PFGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
IDT70V07L55G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V07L55J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應商設備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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