參數(shù)資料
型號： IDT70V07L35PF
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
中文描述： 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQFP80
封裝： 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-80
文件頁數(shù)： 11/18頁
文件大?。?/td> 246K
代理商： IDT70V07L35PF
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
6.37
11
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH PORT-TO-PORT READ AND
BUSY
(2,4,5)
2943 drw 13
t
DW
t
APS
ADDR
"A"
t
WC
DATA
OUT "B"
MATCH
t
WP
R/
W
"A"
DATA
IN "A"
ADDR
"B"
t
DH
VALID
(1)
MATCH
BUSY
"B"
t
BDA
VALID
t
BDD
t
DDD(3)
t
WDD
NOTES:
1. To ensure that the earlier of the two ports wins. t
APS
is ignored for M/
S
= V
IL
(slave).
2.
CE
L
=
CE
R
= V
IL.
3.
OE
= V
IL
for the reading port.
4. If M/
S
= V
IL
(slave),
BUSY
is an input. Then for this example
BUSY
"A"
= V
IH
and
BUSY
"B"
input is shown above.
5. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either the left or right port. Port "B" is the port opposite from port "A".
TIMING WAVEFORM OF WRITE WITH BUSY
NOTES:
1. t
WH
must be met for both
BUSY
input (SLAVE) and output (MASTER).
2.
BUSY
is asserted on port "B" blocking R/
W
"B"
, until
BUSY
"B"
goes High.
2943 drw 14
R/
W
"A"
BUSY
"B"
t
WP
t
WB
R/
W
"B"
t
WH
(2)
(3)
(1)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V07L55G 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT70V07L55J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07L55PF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07S25G HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V07L35PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V07L35PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
IDT70V07L35PFGI8 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
IDT70V07L55G 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70V07L55J 功能描述:IC SRAM 256KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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