參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70V07L35G
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68
封裝： 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-68
文件頁(yè)數(shù)： 5/18頁(yè)
文件大?。?/td> 246K
代理商： IDT70V07L35G
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
6.37
5
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
IDT70V07S
Min.
—
—
—
2.4
IDT70V07L
Min.
—
—
—
2.4
Symbol
|I
LI
|
|I
LO
|
V
OL
V
OH
Parameter
Test Conditions
V
CC
= 3.6V, V
IN
= 0V to V
CC
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
I
OL
= 4mA
I
OH
= -4mA
Max.
10
10
0.4
—
Max.
5
5
0.4
—
Unit
μ
A
μ
A
V
V
Input Leakage Current
(1)
Output Leakage Current
Output Low Voltage
Output High Voltage
2943 tbl 08
DC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(1)
(V
CC
= 3.3V
±
0.3V)
70V07X25
70V07X35 70V07X55
Test
Symbol
I
CC
Parameter
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
Standby Current
(Both Ports — TTL
Level Inputs)
Standby Current
(One Port — TTL
Level Inputs)
Condition
Version
COM’L.
Typ.
(2)
100
100
Max. Typ.
(2)
170
140
Max. Typ.
(2)
140
120
Max. Unit
140
120
CE
= V
IL
, Outputs Open
SEM
= V
IH
f = f
MAX(3)
CE
R
=
CE
L
= V
IH
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
f = f
MAX(3)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH(5)
Active Port Outputs Open,
f = f
MAX(3)
SEM
R
=
SEM
L
= V
IH
Both Ports
CE
L
and
CE
R
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(4)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(5)
SEM
R
=
SEM
L
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or V
IN
< 0.2V
Active Port Outputs Open
f = f
MAX(3)
S
L
90
90
90
90
mA
I
SB1
COM’L.
S
L
14
12
30
24
12
10
30
24
12
10
30
24
mA
I
SB2
COM’L.
S
L
50
50
95
85
45
45
87
75
45
45
87
75
mA
I
SB3
Full Standby Current
(Both Ports — All
CMOS Level Inputs)
COM’L.
S
L
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
1.0
0.2
6
3
mA
I
SB4
Full Standby Current
(One Port — All
CMOS Level Inputs)
COM’L.
S
L
60
60
90
80
55
55
85
74
55
55
85
74
mA
NOTES:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2. V
CC
= 3.3V, T
A
= +25
°
C, and are not production tested. I
CCDC
= 80mA (Typ.)
3. At f = f
MAX
,
address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximum frequency read cycle of 1 / t
RC,
and using “AC Test Conditions”
of input levels of GND to 3V.
4. f = 0 means no address or control lines change.
5. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite from port "A".
2943 tbl 09
NOTE:
1. At Vcc
≤
2.0V input leakages are undefined.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V07L35J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07L35PF 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape &amp; Reel
IDT70V07L55G 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape &amp; Reel
IDT70V07L55J HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V07L55PF HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
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參數(shù)描述
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IDT70V07L35J8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07L35PF 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V07L35PF8 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V07L35PFGI 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP
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