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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70V07L35G |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| 中文描述： | 32K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, CPGA68 |
| 封裝： | 1.180 X 1.180 INCH, 0.160 INCH HEIGHT, PGA-68 |
| 文件頁數(shù)： | 10/18頁 |
| 文件大?。?/td> | 246K |
| 代理商： | IDT70V07L35G |
6.37
10
IDT70V07S/L
HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
COMMERCIAL TEMPERATURE RANGE
AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(6)
IDT70V07X25
IDT70V07X35
IDT70V07X55
Symbol
BUSY TIMING (M/
S
= V
IH
)
t
BAA
BUSY
Access Time from Address Match
t
BDA
BUSY
Disable Time from Address Not Matched
t
BAC
BUSY
Access Time from Chip Enable Low
t
BDC
BUSY
Disable Time from Chip Enable High
t
APS
Arbitration Priority Set-up Time
(2)
t
BDD
BUSY
Disable to Valid Data
(3)
t
WH
Write Hold After
BUSY
(5)
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
—
—
—
—
5
—
20
25
25
25
25
—
35
—
—
—
—
—
5
—
25
35
35
35
35
—
40
—
—
—
—
—
5
—
25
45
45
45
45
—
50
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
BUSY TIMING (M/
S
= V
IL
)
t
WB
BUSY
Input to Write
(4)
Write Hold After
BUSY
(5)
0
—
0
—
0
—
ns
t
WH
20
—
25
—
25
—
ns
PORT-TO-PORT DELAY TIMING
t
WDD
Write Pulse to Data Delay
(1)
Write Data Valid to Read Data Delay
(1)
—
55
—
65
—
85
ns
t
DDD
—
50
—
60
—
80
ns
NOTES:
1. Port-to-port delay through RAM cells from writing port to reading port, refer to "Timing Waveform of Write with Port-to-Port Read and
BUSY
".
2. To ensure that the earlier of the two ports wins.
3. t
BDD
is a calculated parameter and is the greater of 0, t
WDD
– t
WP
(actual), or t
DDD
– t
DW
(actual).
4. To ensure that the write cycle is inhibited on port "B" during contention on port "A".
5. To ensure that a write cycle is completed on port "B" after contention on port "A".
6. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
2943 tbl 13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V07L35J | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L35PF | 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel |
| IDT70V07L55G | 400V N-Channel MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel |
| IDT70V07L55J | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V07L55PF | HIGH-SPEED 3.3V 32K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V07L35J | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L35J8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L35PF | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V07L35PF8 | 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V07L35PFGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 256KBIT 35NS 80TQFP |
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