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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70V06S35JI |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel |
| 中文描述： | 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC68 |
| 封裝： | PLASTIC, LCC-68 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 2/22頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 171K |
| 代理商： | IDT70V06S35JI |
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2
IDT70V06S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
2942 drw 02
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INDEX
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V
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L
GND
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A
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A
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0R
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1R
A
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I/O
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I/O
3L
I/O
4L
I/O
5L
A
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L
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M/
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64 63 62 61
L
GND
R
R
A
1
I
7
N
G
R
R
R
R
R
L
L
L
N
I
0
I
1
IDT70V06J
J68-1
(4)
68-Pin PLCC
Top View
(5)
N
A
1
N
A
1
A
1
A
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A
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A
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A
6
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A
1
A
1
A
9
A
8
A
7
A
6
A
1
A
1
The IDT70V06 is a high-speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM. The
IDT70V06 is designed to be used as a stand-alone 128K-bit Dual-Port
Static RAMor as a combination MASTER/SLAVE Dual-Port Static
RAMfor 16-bit-or-more word systems. Using the IDT MASTER/
SLAVE Dual-Port Static RAMapproach in 16-bit or wider memory
systemapplications results in full-speed, error-free operation without
the need for additional discrete logic.
This device provides two independent ports with separate control,
address, and I/O pins that permt independent, asynchronous access for
reads or writes to any location in memory. An automatic power down
feature controlled by
CE
permts the on-chip circuitry of each port to enter
a very low standby power mode.
Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology, these
devices typically operate on only 400mW of power.
The IDT70V06 is packaged in a ceramc 68-pin PGA and PLCC
and a 64-pin thin quad flatpack (TQFP).
!
NOTES:
1. All V
CC
pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground supply.
3. J68-1 package body is approximately .95 in x .95 in x .17 in
PN-64 package body is approximately 14mmx 14mmx 1.4mm
4. This package code is used to reference the package diagram
5. This text does not indicate orientation of the actual part marking.
INDEX
70V06PF
PN-64
(4)
64-Pin TQFP
Top View
(5)
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I/O
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I/O
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I/O
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V
CC
GND
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I/O
1R
I/O
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V
CC
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I/O
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GND
I/O
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I/O
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A
4R
L
R
R
L
GND
M/
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A
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1
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L
L
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V
C
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A
0L
A
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3L
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4L
A
6
A
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A
8
A
9
A
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A
1
A
1
I
0
2942 drw 03
A
1
A
1
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V06S35PF | -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET |
| IDT70V06S35PFI | 80V Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 5; Container: Tape & Reel |
| IDT70V06S55G | 100V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel |
| IDT70V06S55GI | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70V06S55J | HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70V06S35PF | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V06S35PF8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V06S55G | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70V06S55J | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70V06S55J8 | 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
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