參數(shù)資料
型號： IDT70V06S35JI
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
中文描述： 16K X 8 DUAL-PORT SRAM, 35 ns, PQCC68
封裝： PLASTIC, LCC-68
文件頁數(shù)： 16/22頁
文件大?。?/td> 171K
代理商： IDT70V06S35JI
16
IDT70V06S/L
High-Speed 16K x 8 Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
-1(%
!
NOTES:
1. All timng is the same for left and right ports. Port
“
A
”
may be either the left or right port. Port
“
B
”
is the port opposite from
“
A
”
.
2. See Interrupt Truth Table III.
3. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is asserted last.
4. Timng depends on which enable signal (
CE
or R/
W
) is de-asserted first.
NOTE:
1. 'X' in part number indicates power rating (S or L).
/&01&
0%+.23
!
70V06X15
Com'l Only
70V06X20
Com'l
& Ind
70V06X25
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
15
____
20
____
20
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
15
____
20
____
20
ns
2942 tbl 14a
2942 drw 16
ADDR
"A"
INTERRUPT SET ADDRESS
"A"
R/
"A"
t
AS
t
WC
t
WR
(3)
(4)
t
INS
(3)
I
"B"
(2)
70V06X35
Com'l
& Ind
70V06X55
Com'l
& Ind
Symbol
Parameter
Mn.
Max.
Mn.
Max.
Unit
INTERRUPT TIMING
t
AS
Address Set-up Time
0
____
0
____
ns
t
WR
Write Recovery Time
0
____
0
____
ns
t
INS
Interrupt Set Time
____
25
____
40
ns
t
INR
Interrupt Reset Time
____
25
____
40
ns
2942 tbl 14b
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70V06S35PF -12V P-Channel 1.8V Specified PowerTrench MOSFET
IDT70V06S35PFI 80V Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 5; Container: Tape & Reel
IDT70V06S55G 100V N-Channel PowerTrench MOSFET; Package: TO-252(DPAK); No of Pins: 2; Container: Tape & Reel
IDT70V06S55GI HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70V06S55J HIGH-SPEED 3.3V 16K x 8 DUAL-PORT STATIC RAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70V06S35PF 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S35PF8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 35NS 64TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S55G 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT70V06S55J 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70V06S55J8 功能描述:IC SRAM 128KBIT 55NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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