參數資料
型號： IDT70T653MS15BC
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
中文描述： 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 15 ns, PBGA256
封裝： BGA-256
文件頁數： 24/24頁
文件大?。?/td> 309K
代理商： IDT70T653MS15BC
IDT70T653M Preliminary
High-Speed 2.5V 512K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Ordering Information
24
A
Power
999
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
I
Commercial (0
°
C to +70
°
C)
Industrial (-40
°
C to +85
°
C)
Standard Power
Speed in nanoseconds
.
18Mbit (512K x 36) Asynchronous Dual-Port RAM
256-ball BGA (BC-256)
5679 drw 25
Commercial Only
Commercial & Industrial
Commercial Only
S
XXXXX
Device
Type
IDT
70T653M
BC
10
12
15
The IDT logo is a registered trademark of Integrated Device Technology, Inc.
Preliminary Datasheet:
Definition
"PRELIMINARY' datasheets contain descriptions for products that are in early release.
Datasheet Document History:
10/08/03: Initial Datasheet
10/20/03: Page 1 Added "Includes JTAG functionality" to features
Page 13 Corrected t
ARF
to 1.5V/ns Min.
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相關PDF資料
PDF描述
IDT70T653MS15BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T9359L9BF HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9359L9BFI HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9359L9PF HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
IDT70T9359L9PFI HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
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參數描述
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IDT70T659S10BC 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T659S10BC8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T659S10BCI 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T659S10BCI8 功能描述:IC SRAM 4MBIT 10NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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