- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄377276 > IDT70T653MS12BC (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T653MS12BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 512K X 36 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256 |
| 封裝： | BGA-256 |
| 文件頁數(shù)： | 2/24頁 |
| 文件大小： | 309K |
| 代理商： | IDT70T653MS12BC |
IDT70T653M Preliminary
High-Speed 2.5V 512K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Description
The IDT70T653M is a high-speed 512K x 36 Asynchronous Dual-
Port Static RAM. The IDT70T653M is designed to be used as a stand-
alone 18874K-bit Dual-Port RAM. This device provides two independent
ports with separate control, address, and I/O pins that permit ndependent,
asynchronous access for reads or writes to any location in memory. An
automatic power down feature controlled by the chip enables (either
CE
0
or CE
1
) permit the on-chip circuitry of each port to enter a very ow standby
power mode.
2
The IDT70T653M has a RapidWrite Mode which allows the designer
to perform back-to-back write operations without pulsing the R/
W
input
each cycle. This is especially significant at the 10ns cycle time of the
IDT70T653M, easing design considerations at these high performance
levels.
The 70T653M can support an operating voltage of either 3.3V or 2.5V
on one or both ports, controlled by the OPT pins. The power supply for
the core of the device (V
DD
) is at 2.5V.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T653MS12BCI | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT70T653MS15BC | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT70T653MS15BCI | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT70T9359L9BF | HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
| IDT70T9359L9BFI | HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70T653MS12BC8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T653MS12BCGI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T653MS12BCI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T653MS12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T653MS15BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 15NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。