參數(shù)資料
型號： IDT70T653MS10BCI
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
中文描述： 高速2.5V的為512k × 36 3.3 5011 2.5V的接口ASYNCHRONO美國雙端口靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 14/24頁
文件大?。?/td> 309K
代理商： IDT70T653MS10BCI
IDT70T653M Preliminary
High-Speed 2.5V 512K x 36 Asynchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Semaphore Read after Write Timing, Either Side
(1)
14
NOTES:
1. D
OR
= D
OL
= V
IL
,
CE
L
=
CE
R
= V
IH
. Refer to Truth Table II for appropriate
BE
controls.
2. All timing is the same for left and right ports. Port "A" may be either left or right port. "B" is the opposite from port "A".
3. This parameter is measured from R/
W
"A"
or
SEM
"A"
going HIGH to R/
W
"B"
or
SEM
"B"
going HIGH.
4. If t
SPS
is not satisfied,the semaphore will fall positively to one side or the other, but there is no guarantee which side will be granted the semaphore flag.
Timing Waveform of Semaphore Write Contention
(1,3,4)
NOTES:
1.
CE
0
= V
IH
and CE
1
= V
IL
are required for the duration of both the write cycle and the read cycle waveforms shown above. Refer to Truth Table II for details and for
appropriate
BE
n controls.
2. "DATA
OUT
VALID" represents all I/O's (I/O
0
- I/O
8
and
I/O
18
- I/O
26
) equal to the semaphore value.
SEM
(1)
5679 drw 12
t
AW
t
EW
I/O
VALID ADDRESS
t
SAA
R/
W
t
WR
t
OH
t
ACE
VALID ADDRESS
DATA
VALID
IN
DATA
OUT
VALID
(2)
t
DW
t
WP
t
DH
t
AS
t
SWRD
t
SOE
Read Cycle
Write Cycle
A
0
-A
2
OE
t
SOP
t
SOP
.
SEM
"A"
5679 drw 13
t
SPS
MATCH
R/
W
"A"
MATCH
A
0"A"
-A
2"A"
SIDE
"A"
(2)
SEM
"B"
R/
W
"B"
A
0"B"
-A
2"B"
SIDE
"B"
(2)
.
相關PDF資料
PDF描述
IDT70T653MS12BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS12BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS15BC HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T653MS15BCI HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT70T9359L9BF HIGH-SPEED 2.5V 8/4K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70T653MS12BC8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T653MS12BCGI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T653MS12BCI 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
IDT70T653MS12BCI8 功能描述:IC SRAM 18MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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