參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70T633S12BC
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： WRISTBAND, ELASTIC, ADJUSTABLE 4MM RoHS Compliant: NA
中文描述： 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256
封裝： 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256
文件頁數(shù)： 4/15頁
文件大?。?/td> 190K
代理商： IDT70T633S12BC
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
12
Timing Waveform of Pipelined Read with Address Counter Advance(1)
Timing Waveform of Flow-Through Read with Address Counter Advance(1)
NOTES:
1.
CE0, OE, UB, and LB = VIL; CE1, R/W, and CNTRST = VIH.
2. If there is no address change via
ADS = VIL (loading a new address) or CNTEN = VIL (advancing the address), i.e. ADS = VIH and CNTEN = VIH, then the data
output remains constant for subsequent clocks.
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx - 1
(2)
Qx
Qn
Qn + 2
(2)
Qn + 3
ADS
CNTEN
tCYC2
tCH2
tCL2
4857 drw 14
tSA
tHA
tSAD tHAD
tCD2
tDC
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
Qn + 1
ADDRESS
An
CLK
DATAOUT
Qx
(2)
Qn
Qn + 1
Qn + 2
Qn + 3
(2)
Qn + 4
ADS
CNTEN
tCYC1
tCH1
tCL1
4857 drw 15
tSA
tHA
tSAD tHAD
READ
EXTERNAL
ADDRESS
READ WITH COUNTER
COUNTER
HOLD
tCD1
tDC
tSAD tHAD
tSCN tHCN
READ
WITH
COUNTER
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70T633S12BCI HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE
IDT72V3690 DIODE ZENER SINGLE 1000mW 8.2Vz 31mA-Izt 0.05 10uA-Ir 6Vr DO41-GLASS 5K/REEL
IDT54FCT138PB FAST CMOS 1-OF-8 DECODER WITH ENABLE
IDT74FCT138PB FAST CMOS 1-OF-8 DECODER WITH ENABLE
IDT54FCT139EB DIODE, ZENER, 3.3V, 225MW, 5%, SOT-23
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70T633S12BC8 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR)
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