- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄353800 > IDT70T633S12BC (INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC) WRISTBAND, ELASTIC, ADJUSTABLE 4MM RoHS Compliant: NA PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T633S12BC |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | WRISTBAND, ELASTIC, ADJUSTABLE 4MM RoHS Compliant: NA |
| 中文描述： | 512K X 18 DUAL-PORT SRAM, 12 ns, PBGA256 |
| 封裝： | 17 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, 1 MM PITCH, BGA-256 |
| 文件頁數(shù)： | 3/15頁 |
| 文件大小： | 190K |
| 代理商： | IDT70T633S12BC |
6.42
IDT70V9379L
High-Speed 32K x 18 Dual-Port Synchronous Pipelined Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
11
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read (OE = VIL)(3)
Timing Waveform of Flow-Through Read-to-Write-to-Read (OE Controlled)(3)
NOTES:
1. Transition is measured 0mV from Low or High-impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
3.
CE0, UB, LB, and ADS = VIL; CE1, CNTEN, and CNTRST = VIH. "NOP" is "No Operation".
4. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS = VIL constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for
reference use only.
5. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
DATAIN
Dn + 2
CE0
CLK
4857 drw 12
Qn
DATAOUT
CE1
UB, LB
tCD1
Qn + 1
tCH1
tCL1
tCYC1
tSD tHD
tCD1
tDC
tCKHZ
Qn + 3
tCD1
tDC
tSC
tHC
tSB
tHB
tSW tHW
tSA
tHA
READ
NOP
READ
tCKLZ
(4)
(2)
(1)
tSW tHW
WRITE
(5)
R/W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
(4)
DATAIN
Dn + 2
CE0
CLK
4857 drw 13
Qn
DATAOUT
CE1
UB, LB
tCD1
tCH1
tCL1
tCYC1
tSD tHD
tCD1
tDC
Qn + 4
tCD1
tDC
tSC
tHC
tSB
tHB
tSW tHW
tSA
tHA
READ
WRITE
READ
tCKLZ
(2)
Dn + 3
tOHZ
(1)
tSW tHW
OE
tOE
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T633S12BCI | HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT72V3690 | DIODE ZENER SINGLE 1000mW 8.2Vz 31mA-Izt 0.05 10uA-Ir 6Vr DO41-GLASS 5K/REEL |
| IDT54FCT138PB | FAST CMOS 1-OF-8 DECODER WITH ENABLE |
| IDT74FCT138PB | FAST CMOS 1-OF-8 DECODER WITH ENABLE |
| IDT54FCT139EB | DIODE, ZENER, 3.3V, 225MW, 5%, SOT-23 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70T633S12BC8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T633S12BCI | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T633S12BCI8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T633S12BF | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T633S12BF8 | 功能描述:IC SRAM 9MBIT 12NS 208FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。