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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T3599S200DRI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速與3.3V 2.5V的256/128/64K × 36 SYNCHRONOU S雙，端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口 |
| 文件頁數(shù)： | 16/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 442K |
| 代理商： | IDT70T3599S200DRI |
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6.42
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read
(
OE
= V
IL
)
(2)
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 2
An + 3
An + 4
DATA
IN
Dn + 2
CE
0
CLK
5666 drw 11
Qn
Qn + 3
DATA
OUT
CE
1
BE
n
t
CD2
t
CKHZ
t
CKLZ
t
CD2
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
READ
NOP
READ
t
SD
t
HD
(3)
(1)
t
SW
t
HW
WRITE
(4)
NOTES:
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2.
CE
0
,
BE
n
, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
REPEAT
= V
IH
. "NOP" is "No Operation".
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS
= V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers
are for reference use only.
4. "NOP" is "No Operation." Data in memory at the selected address may be corrupted and should be re-written to guarantee data integrity.
R/
W
ADDRESS
An
An +1
An + 2
An + 3
An + 4
An + 5
DATA
IN
Dn + 3
Dn + 2
CE
0
CLK
5666 drw 12
DATA
OUT
Qn
Qn + 4
CE
1
BE
n
OE
t
CH2
t
CL2
t
CYC2
t
CKLZ
t
CD2
t
OHZ
t
CD2
t
SD
t
HD
READ
WRITE
READ
t
SC
t
HC
t
SB
t
HB
t
SW
t
HW
t
SA
t
HA
(3)
(1)
t
SW
t
HW
(4)
Timing Waveform of Pipelined Read-to-Write-to-Read (
OE
Controlled)
(2)
NOTES:
1. Output state (High, Low, or High-impedance) is determined by the previous cycle control signals.
2.
CE
0
,
BE
n
, and
ADS
= V
IL
; CE
1
,
CNTEN
, and
REPEAT
= V
IH
.
3. Addresses do not have to be accessed sequentially since
ADS
= V
IL
constantly loads the address on the rising edge of the CLK; numbers are for reference
use only.
4. This timing does not meet requirements for fastest speed grade. This waveform indicates how logically it could be done if timing so allows.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T3599S-200DRI | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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| IDT70T653MS10BC | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT70T653MS10BCI | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
| IDT70T653MS12BC | HIGH-SPEED 2.5V 512K x 36 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT70T35L20PF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70T35L20PF8 | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 20NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF |
| IDT70T35L25BF | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 25NS 100FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
| IDT70T35L25BFI | 功能描述:IC SRAM 144KBIT 25NS 100FBGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8 |
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