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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70T3519S-200DRI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速與3.3V 2.5V的256/128/64K × 36 SYNCHRONOU S雙，端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口 |
| 文件頁數(shù)： | 22/28頁 |
| 文件大?。?/td> | 442K |
| 代理商： | IDT70T3519S-200DRI |
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6.42
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Timing Waveform - Entering Sleep Mode
(1,2)
(3)
R/
W
DATA
OUT
R/
W
OE
(4)
Dn
Dn+1
An+1
An
(5)
(5)
Timing Waveform - Exiting Sleep Mode
(1,2)
NOTES:
1. CE
1 =
V
IH.
2. All timing is same for Left and Right ports.
3.
CE
0
has to be deactivated (
CE
0
= V
IH
) three cycles prior to asserting ZZ (ZZx = V
IH
) and held for two cycles after asserting ZZ (ZZx = V
IH
).
4.
CE
0
has to be deactivated (
CE
0
= V
IH
) one cycle prior to de-asserting ZZ
(ZZx = V
IL
) and held for three cycles after de-asserting ZZ (ZZx = V
IL
).
5. The device must be in Read Mode (R/
W
High) when exiting sleep mode. Outputs are active but data is not valid until the following cycle.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T3589S133BC | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70T3589S-133BC | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70T3589S133BCI | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70T3539MS133BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT70T3539MS133BC8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T3539MS133BCG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256CABGA |
| IDT70T3539MS133BCGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256CABGA |
| IDT70T3539MS133BCI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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