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參數(shù)資料
| 型號： | IDT70T3519S-200DRI |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| 中文描述： | 高速與3.3V 2.5V的256/128/64K × 36 SYNCHRONOU S雙，端口靜態(tài)RAM或2.5V的接口 |
| 文件頁數(shù)： | 11/28頁 |
| 文件大小： | 442K |
| 代理商： | IDT70T3519S-200DRI |
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6.42
IDT70T3519/99/89S
High-Speed 2.5V 256/128/64K x 36 Dual-Port Synchronous Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
AC Test Conditions
(V
DDQ
- 3.3V/2.5V)
Input Pulse Levels (Address & Controls)
GND to 3
.
0V/GND to 2.4V
Figure 1. AC Output Test load.
Input Pulse Levels (I/Os)
Input Rise/Fall Times
Input Timing Reference Levels
Output Reference Levels
Output Load
GND to 3.0V/GND to 2.4V
2ns
1.5V/1.25V
1.5V/1.25V
Figure 1
5666 tbl 10
1.5V/1.25
50
50
5666 drw 03
10pF
(Tester)
DATA
OUT
,
Capacitance (pF) from AC Test Load
5666 drw 04
tCD
(Typical, ns)
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70T3589S133BC | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70T3589S-133BC | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
| IDT70T3589S133BCI | HIGH-SPEED 2.5V 256/128/64K x 36 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE |
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相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70T3539MS133BC | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:32K (4K x 8) 速度:100kHz，400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.5 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 125°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:CAV24C32WE-GT3OSTR |
| IDT70T3539MS133BC8 | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:3,000 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:8K (1K x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:1.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） 供應商設備封裝:8-SOIC 包裝:帶卷 (TR) |
| IDT70T3539MS133BCG | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256CABGA |
| IDT70T3539MS133BCGI | 制造商:Integrated Device Technology Inc 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256CABGA |
| IDT70T3539MS133BCI | 功能描述:IC SRAM 18MBIT 133MHZ 256BGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:2,500 系列:- 格式 - 存儲器:EEPROMs - 串行 存儲器類型:EEPROM 存儲容量:1K (128 x 8) 速度:100kHz 接口:UNI/O?（單線） 電源電壓:1.8 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） 供應商設備封裝:8-MSOP 包裝:帶卷 (TR) |
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