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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT709199L12PFG |
| 廠商： | INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC |
| 元件分類(lèi)： | SRAM |
| 英文描述： | 128K X 9 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP100 |
| 封裝： | 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 8/15頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 163K |
| 代理商： | IDT709199L12PFG |
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6.42
IDT709199L
High-Speed 128K x 9 Synchronous Pipelined Dual-Port Static RAM
Industrial and Commercial Temperature Ranges
2
Index
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10099 98 97 96 95 94 93 92 91 90 89 88 87 86 85 84 83 82 81 80 79 78 77 76
IDT709199PF
PN100-1(4)
100-Pin TQFP
Top View(5)
NC
GND
FT/PIPER
OER
R/
WR
CNTRSTR
CE1R
CE0R
NC
GND
A15R
A12R
A13R
A11R
A10R
A9R
A8R
A7R
NC
A14R
NC
A16R
4847 drw 02
NC
FT/PIPEL
OEL
R/
WL
CNTRSTL
CE1L
CE0L
NC
VCC
A16L
A15L
A14L
A13L
A8L
A7L
NC
A12L
A11L
A10L
A9L
N
C
N
C
I/
O
6
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I/
O
5
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I/
O
4
R
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O
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V
C
I/
O
2
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I/
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0
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G
N
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V
C
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0
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G
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D
I/
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I/
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I/
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I/
O
3
L
I/
O
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7
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I/
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8
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N
C
A
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A
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A
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A
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A
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A
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N
T
E
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L
A
0
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N
D
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A
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A
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L
A
6
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N
C
N
C
A
1
L
A
4
L
G
N
D
11/07/01
Pin Configurations(1,2,3)
NOTES:
1. All VCC pins must be connected to power supply.
2. All GND pins must be connected to ground.
3. Package body is approximately 14mm x 14mm x 1.4mm
4. This package code is used to reference the package diagram.
5. This text does not indicate orientation of the actual part-marking.
Description
The IDT709199 is a high-speed 128K x 9 bit synchronous Dual-
Port RAM. The memory array utilizes Dual-Port memory cells to allow
simultaneous access of any address from both ports. Registers on
control, data, and address inputs provide minimal setup and hold
times. The timing latitude provided by this approach allows systems
to be designed with very short cycle times.
With an input data register, the IDT709199 has been optimized for
applications having unidirectional or bidirectional data flow in bursts.
An automatic power down feature, controlled by
CE0and CE1, permits
the on-chip circuitry of each port to enter a very low standby power
mode. Fabricated using IDT’s CMOS high-performance technology,
these devices typically operate on only 1.2W of power.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70V34TS20PFI | 4K X 18 DUAL-PORT SRAM, 20 ns, PQFP100 |
| IDT71256L35PI | 32K X 8 STANDARD SRAM, 35 ns, PDIP28 |
| IDT7140SA25PFG | HIGH SPEED 1K X 8 DUAL-PORT STATIC SRAM |
| 7140LA25PFG | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 25 ns, PQFP64 |
| 7140LA55CGI | 1K X 8 DUAL-PORT SRAM, 55 ns, CDIP48 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| IDT709199L7PF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT709199L7PF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT709199L9PF | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT709199L9PF8 | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ |
| IDT709199L9PFI | 功能描述:IC SRAM 1.125MBIT 9NS 100TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ |
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