- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄377273 > IDT70914S (Integrated Device Technology, Inc.) HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70914S |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| 中文描述： | 高速36K（4K的× 9）同步雙端口RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 7/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | IDT70914S |
6.42
IDT70914S
High-Speed 36K (4K x 9) Synchronous Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
7
&'()'(#*#
++=-*"
>.
!"
/0.12 *
/767@4->.
/0.12 *
/<007607"
NOTES:
1. Transition is measured 0mV fromLow or High impedance voltage with the Output Test Load (Figure 2).
2. This parameter is guaranteed by device characterization, but is not production tested.
3. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
70914S12
Com'l Only
70914S15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
CYC
Clock Cycle Time
16
____
20
____
ns
t
CH
Clock High Time
6
____
6
____
ns
t
CL
Clock Low Time
6
____
6
____
ns
t
CD
Clock High to Output Valid
____
12
____
15
ns
t
S
Registered Signal Set-up Time
4
____
4
____
ns
t
H
Registered Signal Hold Time
1
____
1
____
ns
t
DC
Data Output Hold After Clock High
3
____
3
____
ns
t
CKLZ
Clock High to Output Low-Z
(1,2)
2
____
2
____
ns
t
CKHZ
Clock High to Output High-Z
(1,2)
____
7
____
7
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
____
7
____
8
ns
t
OLZ
Output Enable to Output Low-Z
(1,2)
0
____
0
____
ns
t
OHZ
Output Disable to Output High-Z
(1,2)
____
7
____
7
ns
t
SCK
Clock Enable, Disable Set-up Time
4
____
4
____
ns
t
HCK
Clock Enable, Disable Hold Time
2
____
2
____
ns
Port-to-Port Delay
t
CWDD
Write Port Clock High to Read Data Delay
____
25
____
30
ns
t
CSS
Clock-to-Clock Setup Time
____
13
____
15
ns
3490 tbl 08a
70914S20
Com'l &
Military
70914S25
Military
Only
Symbol
Parameter
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
t
CYC
Clock Cycle Time
20
____
25
____
ns
t
CH
Clock High Time
8
____
10
____
ns
t
CL
Clock Low Time
8
____
10
____
ns
t
CD
Clock High to Output Valid
____
20
____
25
ns
t
S
Registered Signal Set-up Time
5
____
6
____
ns
t
H
Registered Signal Hold Time
1
____
1
____
ns
t
DC
Data Output Hold After Clock High
3
____
3
____
ns
t
CKLZ
Clock High to Output Low-Z
(1,2)
2
____
2
____
ns
t
CKHZ
Clock High to Output High-Z
(1,2)
____
9
____
12
ns
t
OE
Output Enable to Output Valid
____
10
____
12
ns
t
OLZ
Output Enable to Output Low-Z
(1,2)
0
____
0
____
ns
t
OHZ
Output Disable to Output High-Z
(1,2)
____
9
____
11
ns
t
SCK
Clock Enable, Disable Set-up Time
5
____
6
____
ns
t
HCK
Clock Enable, Disable Hold Time
2
____
2
____
ns
Port-to-Port Delay
t
CWDD
Write Port Clock High to Read Data Delay
____
35
____
45
ns
t
CSS
Clock-to-Clock Setup Time
____
15
____
20
ns
3490 tbl 08b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70914S12F | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| IDT70914S12FB | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| IDT70914S12FI | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| IDT70914S12J | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| IDT70914S12JB | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70914S12J | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 68PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT70914S12J8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 68PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF |
| IDT70914S12PF | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT70914S12PF8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF |
| IDT70914S15J | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。