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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IDT70914S |
| 廠商： | Integrated Device Technology, Inc. |
| 英文描述： | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| 中文描述： | 高速36K（4K的× 9）同步雙端口RAM |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 5/11頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 109K |
| 代理商： | IDT70914S |
6.42
IDT70914S
High-Speed 36K (4K x 9) Synchronous Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
5
&'()'(#
*#+,##-.
; 0"
.
/0.12"
NOTES:
1. At f
MAX
, address and control lines (except Output Enable) are cycling at the maximumfrequency clock cycle of 1/t
CYC
, using "AC TEST CONDITIONS" at input levels
of GND to 3V.
2. f = 0 means no address, clock, or control lines change. Applies only to input at CMOS level standby.
3. Port "A" may be either left or right port. Port "B" is the opposite fromport "A".
4. Vcc = 5V, T
A
= 25
°
C for Typ, and are not production tested. I
CC DC
= 150mA (Typ).
5. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your sales office.
70914S12
Com'l Only
70914S15
Com'l Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
Outputs Disabled
f = f
MAX
(1)
COM'L
190
310
180
300
mA
MIL &
IND
____
____
____
____
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
and
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COM'L
95
150
90
140
mA
MIL &
IND
____
____
____
____
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
Active Port Outputs
Disabled, f=f
MAX
(1)
COM'L
170
220
160
210
mA
MIL &
IND
____
____
____
____
I
SB3
Full Standby
Current (Both
Ports - All CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
R
and
CE
L
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(2)
COM'L
10
15
10
15
mA
MIL &
IND
____
____
____
____
I
SB4
Full Standby
Current (One
Port - All CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(3)
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, Active Port
Outputs Disabled
f = f
MAX
(1)
COM'L
165
210
155
200
mA
MIL &
IND
____
____
____
____
3490 tbl 06a
70914S20
Com'l &
Military
70914S25
Military
Only
Symbol
Parameter
Test Condition
Version
Typ.
(2)
Max.
Typ.
(2)
Max.
Unit
I
CC
Dynamic Operating
Current
(Both Ports Active)
CE
L
and
CE
R
= V
IL
,
f = f
MAX
(1)
COM'L
170
290
____
____
mA
MIL &
IND
170
310
160
290
I
SB1
Standby Current
(Both Ports - TTL
Level Inputs)
CE
L
and
CE
R
= V
IH
f = f
MAX
(1)
COM'L
85
130
____
____
mA
MIL &
IND
85
140
80
130
I
SB2
Standby Current
(One Port - TTL
Level Inputs)
CE
"A"
= V
IL
and
CE
"B"
= V
IH
Active Port Outputs
Disabled, f=f
MAX
(1)
COM'L
150
200
____
____
mA
MIL &
IND
150
210
140
200
I
SB3
Full Standby
Current (Both
Ports - All CMOS
Level Inputs)
Both Ports
CE
R
and
CE
L
> V
CC
- 0.2V
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, f = 0
(2)
COM'L
10
15
____
____
mA
MIL &
IND
10
20
10
20
I
SB4
Full Standby
Current (One
Port - All CMOS
Level Inputs)
CE
"A"
< 0.2V and
CE
"B"
> V
CC
- 0.2V
(3)
V
IN
> V
CC
- 0.2V or
V
IN
< 0.2V, Active Port
Outputs Disabled
f = f
MAX
(1)
COM'L
145
190
____
____
mA
MIL &
IND
145
200
135
190
3490 tbl 06b
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT70914S12F | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| IDT70914S12FB | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| IDT70914S12FI | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| IDT70914S12J | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
| IDT70914S12JB | HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT70914S12J | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 68PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT70914S12J8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 68PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF |
| IDT70914S12PF | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
| IDT70914S12PF8 | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 12NS 80TQFP RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，異步 存儲(chǔ)容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):70V25S15PF |
| IDT70914S15J | 功能描述:IC SRAM 36KBIT 15NS 68PLCC RoHS:否 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 雙端口，同步 存儲(chǔ)容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱(chēng):70V3579S5BCI8 |
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