參數(shù)資料
型號： IDT70914S20P
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： High Speed Low-Noise JFET-Input Quad Operational Amplifier 14-CDIP -55 to 125
中文描述： 高速36K（4K的× 9）同步雙端口RAM
文件頁數(shù)： 4/11頁
文件大?。?/td> 109K
代理商： IDT70914S20P
6.42
IDT70914S
High-Speed 36K (4K x 9) Synchronous Dual-Port Static RAM Military, Industrial and Commercial Temperature Ranges
&'()'(#
*#+,##-.
.
/0%.12"
++(#
+
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated
in the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed V
CC
+ 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> V
cc
+ 10%.
345
"
45(#*#
+,##-.
"
NOTES:
1. These parameters are determned by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output switch
from0V to 3V or from3V to 0V.
#
*
/607 /%48
9
"
*:(-
NOTES:
1. This is the parameter T
A
. This is the "instant on" casae temperature.
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact your
NOTES:
1. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
2. V
TERM
must not exceed V
CC
+ 10%.
NOTE:
1. At V
CC
< 2.0V, input leakages are undefined
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Military
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
with Respect
to GND
-0.5 to +7.0
-0.5 to +7.0
V
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
-0.5 to V
CC
-0.5 to V
CC
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
-65 to +135
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-65 to +150
-65 to +150
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
50
mA
3490 tbl 01
Grade
Ambient
Temperature
GND
V
CC
Mlitary
-55
O
C to+125
O
C
0V
5.0V
+
10%
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
5.0V
+
10%
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
5.0V
+
10%
3490 tbl 02
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
____
6.0
(2)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
(1)
____
0.8
V
3490 tbl 03
Symbol
Parameter
Conditions
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
8
pF
C
OUT
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
9
pF
3490 tbl 04
Symbol
Parameter
Test Conditions
70914S
Unit
Mn.
Max.
|
LI
|
Input Leakage Current
(1)
V
CC
= 5.5V, V
IN
= 0V to V
CC
___
10
μA
|
LO
|
Output Leakage Current
CE
= V
IH
, V
OUT
= 0V to V
CC
___
10
μA
V
OL
Output LowVoltage
I
OL
= +4mA
___
0.4
V
V
OH
Output High Voltage
I
OH
= -4mA
2.4
___
V
3490 tbl 05
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70914S20PB High Speed Low-Noise JFET-Input Quad Operational Amplifier 14-CFP -55 to 125
IDT70914S20PI HIGH SPEED 36K (4K X 9) SYNCHRONOUS DUAL-PORT RAM
IDT70914S25F High Speed Low-Noise JFET-Input Quad Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125
IDT70914S25FB High Speed Low-Noise JFET-Input Quad Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125
IDT70914S25FI High Speed Low-Noise JFET-Input Quad Operational Amplifier 14-CDIP -55 to 125
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參數(shù)描述
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IDT70914S20PF8 功能描述:IC SRAM 36KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70914S25J 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
IDT70914S25J8 功能描述:IC SRAM 36KBIT 25NS 68PLCC RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:45 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，異步 存儲容量:128K（8K x 16） 速度:15ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3 V ~ 3.6 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:100-LQFP 供應(yīng)商設(shè)備封裝:100-TQFP（14x14） 包裝:托盤 其它名稱:70V25S15PF
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