參數(shù)資料
型號： IDT709089SL
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： HIGH-SPEED 64K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
中文描述： 高速64KX8的同步雙端口靜態(tài)RAM
文件頁數(shù)： 4/17頁
文件大小： 199K
代理商： IDT709089SL
6.42
IDT709089S/L
High-Speed 64K x 8 Synchronous Dual-Port Static RAM Industrial and Commercial Temperature Ranges
Preliminary
))-
)
))-
$)./0
!#
NOTES:
1. Stresses greater than those listed under ABSOLUTE MAXIMUMRATINGS may
cause permanent damage to the device. This is a stress rating only and functional
operation of the device at these or any other conditions above those indicated in
the operational sections of this specification is not implied. Exposure to absolute
maximumrating conditions for extended periods may affect reliability.
2. V
TERM
must not exceed V
cc
+ 10% for more than 25% of the cycle time or 10ns
maximum and is limted to < 20mA for the period of V
TERM
> V
cc
+ 10%.
&12
#
NOTES:
1. These parameters are determned by device characterization, but are not
production tested.
2. 3dV references the interpolated capacitance when the input and output
switch from0V to 3V or from3V to 0V.
3. C
OUT
also references C
I/O
.
#
$
3456!3 718
9
#
NOTES:
1. This is the parameter T
A
.
2. Industrial temperature: for specific speeds, packages and powers contact
your sales office.
NOTES:
1. V
TERM
must not exceed V
CC
+ 10%.
2. V
IL
> -1.5V for pulse width less than 10ns.
Grade
Ambient
Temperature
GND
Vcc
Commercial
0
O
C to +70
O
C
0V
5.0V
+
10%
Industrial
-40
O
C to +85
O
C
0V
5.0V
+
10%
3242 tbl 04
Symbol
Parameter
Mn.
Typ.
Max.
Unit
V
CC
Supply Voltage
4.5
5.0
5.5
V
GND
Ground
0
0
0
V
V
IH
Input High Voltage
2.2
____
6.0
(1)
V
V
IL
Input Low Voltage
-0.5
(2)
____
0.8
V
3242 tbl 05
Symbol
Rating
Commercial
& Industrial
Unit
V
TERM
(2)
Termnal Voltage
wth Respect
to GND
-0.5 to +7.0
V
T
BIAS
Temperature
Under Bias
-55 to +125
o
C
T
STG
Storage
Temperature
-55 to +125
o
C
I
OUT
DC Output
Current
50
mA
3242 tbl 06
Symbol
Parameter
Conditions
(2)
Max.
Unit
C
IN
Input Capacitance
V
IN
= 3dV
9
pF
C
OUT
(3)
Output Capacitance
V
OUT
= 3dV
10
pF
3242 tbl 07
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT709089L15PF Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 85
IDT709089L15PFI Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC -40 to 85
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IDT709089L12PF Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70
IDT709089L12PFI Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-TSSOP 0 to 70
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參數(shù)描述
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IDT709099L7PF 功能描述:IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
IDT709099L7PF8 功能描述:IC SRAM 1MBIT 7NS 100TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 標準包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 雙端口，同步 存儲容量:1.125M（32K x 36） 速度:5ns 接口:并聯(lián) 電源電壓:3.15 V ~ 3.45 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:256-LBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:256-CABGA（17x17） 包裝:帶卷 (TR) 其它名稱:70V3579S5BCI8
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