參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70825L45GB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 8K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, CPGA84
封裝： PGA-84
文件頁(yè)數(shù)： 21/21頁(yè)
文件大?。?/td> 319K
代理商： IDT70825L45GB
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.31
21
ORDERING INFORMATION
3016 drw 27
A
Power
999
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
B
Commercial (0
°
C to +70
°
C)
Military (–55
°
C to +125
°
C)
Compliant to MIL-STD-883, Class B
G
PF
84-pin PGA (G84-3)
80-pin TQFP (PN80-1)
20
25
35
45
S
L
Standard Power
Low Power
XXXXX
Device
Type
128K (8K x 16) Sequential Access Random Access
Memory
70825
IDT
Speed in nanoseconds
Commercial Only
Commercial Only
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70825L45PF HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
IDT70825L High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125
IDT70825L25G High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
IDT70825L25GB High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
IDT70825L25PF High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70825S20G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825S20PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825S20PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825S25G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 25NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825S25PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱:71P71804S200BQ
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