參數(shù)資料
型號： IDT70825L45GB
廠商： INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
元件分類： DRAM
英文描述： HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述： 8K X 16 STANDARD SRAM, 45 ns, CPGA84
封裝： PGA-84
文件頁數(shù)： 14/21頁
文件大小： 319K
代理商： IDT70825L45GB
6.31
14
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
SEQUENTIAL PORT: AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OVER THE OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(1)
IDT70825X20
Com'l. Only
Min.
IDT70825X25
Com'l. Only
Min.
IDT70825X35
IDT70825X45
Symbol
WRITE CYCLE
t
CYC
t
FS
t
WS
t
WH
t
DS
t
DH
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Sequential Clock Cycle Time
Flow Restart Time
Chip Select and Read/Write Set-up Time
Chip Select and Read/Write Hold Time
Input Data Set-up Time
Input Data Hold Time
25
13
5
2
5
2
—
—
—
—
—
—
30
15
5
2
5
2
—
—
—
—
—
—
40
20
6
2
6
2
—
—
—
—
—
—
50
20
6
2
6
2
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
3016 tbl 24
SEQUENTIAL PORT: AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OVER THE OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(1)
IDT70825X20
Com'l. Only
Min.
IDT70825X25
Com'l. Only
Min.
IDT70825X35
IDT70825X45
Symbol
RESET CYCLE
t
RSPW
t
WERS
t
RSRC
t
RSFV
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Reset Pulse Width
Write Enable High to Reset High
Reset High to Write Enable Low
Reset High to Flag Valid
13
10
10
15
—
—
—
—
15
10
10
20
—
—
—
—
20
10
10
25
—
—
—
—
20
10
10
25
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
3016 tbl 23
SEQUENTIAL PORT: AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(2)
IDT70825X20
Com'l. Only
Min.
IDT70825X25
Com'l. Only
Min.
IDT70825X35
IDT70825X45
Symbol
READ CYCLE
t
CYC
t
CH
t
CL
t
ES
t
EH
t
SOE
t
OLZ
t
OHZ
t
CD
t
CKHZ
t
CKLZ
t
EB
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Sequential Clock Cycle Time
Clock Pulse High
Clock Pulse Low
Count Enable and Address Pointer Set-up Time
Count Enable and Address Pointer Hold Time
Output Enable to Data Valid
Output Enable Low-Z Time
(1)
Output Enable High-Z Time
(1)
Clock to Valid Data
Clock High-Z Time
(1)
Clock Low-Z Time
(1)
Clock to EOB
25
10
10
5
2
—
—
—
—
—
8
—
9
20
12
—
13
30
12
12
5
2
—
2
—
—
—
3
—
—
—
—
—
—
10
—
11
25
14
—
15
40
15
15
6
2
—
2
—
—
—
3
—
—
—
—
—
—
15
—
15
35
17
—
18
50
18
18
6
2
—
2
—
—
—
3
—
—
—
—
—
—
20
—
15
45
20
—
23
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
2
—
—
—
3
—
NOTES:
1. Transition measured at
±
200mV from steady state. This parameter is guaranteed with the AC Test Load (Figure 2) by device characterization, but is not
production tested.
2. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
3016 tbl 22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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IDT70825L25GB High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
IDT70825L25PF High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 20-LCCC -55 to 125
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IDT70825S25PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 25NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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