參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70825L25PFB
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
中文描述： 高速8K的× 16順序訪問(wèn)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（單存取RAM⑩）
文件頁(yè)數(shù)： 20/21頁(yè)
文件大小： 319K
代理商： IDT70825L25PFB
6.31
20
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
RANDOM ACCESS PORT WAVEFORM: RESET TIMING
t
RSPW
R/ , SR/
or
(
+
)
t
RSRC
t
WERS
1/2
Flag Valid
t
RSFV
3016 drw 25
(4)
RANDOM ACCESS PORT WAVEFORM: RESTART TIMING OF SEQUENTIAL PORT
(1)
NOTES:
1. The sequential port is in the STOP mode and is being restarted from the random port by the Bit 4 Counter Release (see Case 5).
2. "0" is written to Bit 4 from the random port at address [A2 - A0] = 100, when
CMD
= V
IL
and
CE
= V
IH
. The device is in the Buffer Command Mode
(see Case 5).
3. CLR is an internal signal only and is shown for reference only.
4. Sequential port must also prohibit SR/
W
or
SCE
from being low for t
WERS
and t
RSRC
periods, or SCLK must not toggle from Low-to-High until after t
RSRC.
t
FS
SCLK
R/
(Internal Signal)
2-5ns
6-7ns
0.5 x t
CYC
3016 drw 26
CLR
Block
(3)
(2)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70825S High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
IDT70825S20G High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125
IDT70825S20GB Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70
IDT70825S20PF Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70
IDT70825S20PFB Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70825L35G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L35PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L35PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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IDT70825S20PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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