參數(shù)資料
型號(hào)： IDT70825L25PFB
廠商： Integrated Device Technology, Inc.
英文描述： High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
中文描述： 高速8K的× 16順序訪問隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（單存取RAM⑩）
文件頁(yè)數(shù)： 14/21頁(yè)
文件大?。?/td> 319K
代理商： IDT70825L25PFB
6.31
14
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
SEQUENTIAL PORT: AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OVER THE OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(1)
IDT70825X20
Com'l. Only
Min.
IDT70825X25
Com'l. Only
Min.
IDT70825X35
IDT70825X45
Symbol
WRITE CYCLE
t
CYC
t
FS
t
WS
t
WH
t
DS
t
DH
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Sequential Clock Cycle Time
Flow Restart Time
Chip Select and Read/Write Set-up Time
Chip Select and Read/Write Hold Time
Input Data Set-up Time
Input Data Hold Time
25
13
5
2
5
2
—
—
—
—
—
—
30
15
5
2
5
2
—
—
—
—
—
—
40
20
6
2
6
2
—
—
—
—
—
—
50
20
6
2
6
2
—
—
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
3016 tbl 24
SEQUENTIAL PORT: AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS
OVER THE OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE
(1)
IDT70825X20
Com'l. Only
Min.
IDT70825X25
Com'l. Only
Min.
IDT70825X35
IDT70825X45
Symbol
RESET CYCLE
t
RSPW
t
WERS
t
RSRC
t
RSFV
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Reset Pulse Width
Write Enable High to Reset High
Reset High to Write Enable Low
Reset High to Flag Valid
13
10
10
15
—
—
—
—
15
10
10
20
—
—
—
—
20
10
10
25
—
—
—
—
20
10
10
25
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
NOTE:
1. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
3016 tbl 23
SEQUENTIAL PORT: AC ELECTRICAL CHARACTERISTICS OVER THE
OPERATING TEMPERATURE AND SUPPLY VOLTAGE RANGE
(2)
IDT70825X20
Com'l. Only
Min.
IDT70825X25
Com'l. Only
Min.
IDT70825X35
IDT70825X45
Symbol
READ CYCLE
t
CYC
t
CH
t
CL
t
ES
t
EH
t
SOE
t
OLZ
t
OHZ
t
CD
t
CKHZ
t
CKLZ
t
EB
Parameter
Max.
Max.
Min.
Max.
Min.
Max.
Unit
Sequential Clock Cycle Time
Clock Pulse High
Clock Pulse Low
Count Enable and Address Pointer Set-up Time
Count Enable and Address Pointer Hold Time
Output Enable to Data Valid
Output Enable Low-Z Time
(1)
Output Enable High-Z Time
(1)
Clock to Valid Data
Clock High-Z Time
(1)
Clock Low-Z Time
(1)
Clock to EOB
25
10
10
5
2
—
—
—
—
—
8
—
9
20
12
—
13
30
12
12
5
2
—
2
—
—
—
3
—
—
—
—
—
—
10
—
11
25
14
—
15
40
15
15
6
2
—
2
—
—
—
3
—
—
—
—
—
—
15
—
15
35
17
—
18
50
18
18
6
2
—
2
—
—
—
3
—
—
—
—
—
—
20
—
15
45
20
—
23
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
—
2
—
—
—
3
—
NOTES:
1. Transition measured at
±
200mV from steady state. This parameter is guaranteed with the AC Test Load (Figure 2) by device characterization, but is not
production tested.
2. "X" in part numbers indicates power rating (S or L).
3016 tbl 22
相關(guān)PDF資料
PDF描述
IDT70825S High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 8-CDIP -55 to 125
IDT70825S20G High Speed Low-Noise JFET-Input Dual Operational Amplifier 10-CFP -55 to 125
IDT70825S20GB Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70
IDT70825S20PF Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70
IDT70825S20PFB Quad Low-Noise JFET-Input General-Purpose Operational Amplifier 14-SOIC 0 to 70
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
IDT70825L35G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L35PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L35PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 35NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825S20G 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 84PGA RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825S20PF 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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