參數(shù)資料
型號: IDT70825L20GB
廠商: Integrated Device Technology, Inc.
英文描述: HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY (SARAM⑩)
中文描述: 高速8K的× 16順序訪問隨機存取存儲器(單存取RAM⑩)
文件頁數(shù): 21/21頁
文件大?。?/td> 319K
代理商: IDT70825L20GB
IDT70825S/L
HIGH-SPEED 8K x 16 SEQUENTIAL ACCESS RANDOM ACCESS MEMORY
MILITARY AND COMMERCIAL TEMPERATURE RANGES
6.31
21
ORDERING INFORMATION
3016 drw 27
A
Power
999
Speed
A
Package
A
Process/
Temperature
Range
Blank
B
Commercial (0
°
C to +70
°
C)
Military (–55
°
C to +125
°
C)
Compliant to MIL-STD-883, Class B
G
PF
84-pin PGA (G84-3)
80-pin TQFP (PN80-1)
20
25
35
45
S
L
Standard Power
Low Power
XXXXX
Device
Type
128K (8K x 16) Sequential Access Random Access
Memory
70825
IDT
Speed in nanoseconds
Commercial Only
Commercial Only
相關PDF資料
PDF描述
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相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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IDT70825L20PF8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PFI 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
IDT70825L20PFI8 功能描述:IC SARAM 128KBIT 20NS 80TQFP RoHS:否 類別:集成電路 (IC) >> 存儲器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標準包裝:136 系列:- 格式 - 存儲器:RAM 存儲器類型:SRAM - 同步,DDR II 存儲容量:18M(1M x 18) 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應商設備封裝:165-CABGA(13x15) 包裝:托盤 其它名稱:71P71804S200BQ
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