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參數(shù)資料
| 型號： | IDT08S60C |
| 廠商： | INFINEON TECHNOLOGIES AG |
| 英文描述： | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| 中文描述： | 第二代thinQ！碳化硅肖特基二極管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/7頁 |
| 文件大?。?/td> | 240K |
| 代理商： | IDT08S60C |
IDT08S60C
1 Power dissipation
2 Diode forward current
P
tot
=f(
T
C
)
I
F
=f(
T
C
);
T
j
≤
175 °C
parameter: R
thJC(max)
parameter:
R
thJC(max)
;
V
F(max)
3 Typ. forward characteristic
4 Typ. forward characteristic in surge current
I
F
=f(
V
F
);
t
p
=400 μs
mode
parameter:
T
j
I
F
=f(
V
F
);
t
p
=400 μs; parameter:
T
j
0
10
20
30
40
50
60
70
80
25
50
75
100
T
C
[°C]
125
150
175
200
P
t
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175 °C
0
5
10
15
20
0
1
2
3
4
V
F
[V]
I
F
0
4
8
12
16
20
25
50
75
100
125
150
175
200
T
C
[°C]
I
F
-55 °C
25 °C
100 °C
150 °C
175 °C
0
20
40
60
80
0
2
4
6
8
V
F
[V]
I
F
Rev. 2.0
page 3
2006-03-14
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IDT12S60C | 2nd Generation thinQ! SiC Schottky Diode |
| IDT77950 | SwitchStarTM Reference Design Using the IDT77V400 Switching Memory and IDT77V500 Switch Controller |
| IDW100E60 | Fast Switching EmCon Diode |
| IDW75E60 | Fast Switching EmCon Diode |
| IEC-TO-220V-18 | TEANSISTOR INSULATORS |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IDT08S60C_08 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode |
| IDT08S60CXK | 制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Diode Schottky 600V 8A 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube |
| IDT100474S10D | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| IDT100474S10DF | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
| IDT100474S10Y | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 SRAM |
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