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參數(shù)資料
| 型號： | IC42S81600-6TI(G) |
| 英文描述： | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| 中文描述： | 4（2）M中的x 8（16）位× 4銀行（128 - Mbit的）同步動態(tài)RAM |
| 文件頁數(shù)： | 26/69頁 |
| 文件大?。?/td> | 1118K |
| 代理商： | IC42S81600-6TI(G) |
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IC42S81600/IC42S81600L
IC42S16800/IC42S16800L
32
Integrated Circuit Solution Inc.
DR023-0E 6/11/2004
AC Parameters for Read Timing (1 of 2)
BS1=”L”, Bank C,D = Idle
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10
T11
T12
T13
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A10
ADD
DQM
DQ
Burst Length=2, CAS Latency=2
tCH tCL
tCK2
Begin Auto
Precharge
Bank B
t
CKH
tCKS
tCMS
t
CMH
tAH
tAS
tRRD
tRAS
tRC
t
RCD
t
AC2
tLZ
tOH
t
AC2
tOH
tHZ
tRP
tHZ
Hi-Z
Activate
Command
Bank A
Read
Command
Bank A
Activate
Command
Bank B
Read with
Auto Precharge
Bank B
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
QAa0
QAa1
QBa0
QBa1
Command
*BS0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S81600L-6TI(G) | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-7TIG | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600L-7TIG | 4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| ISO120 | Precision Low Cost ISOLATION AMPLIFIER |
| ISO120BG | Precision Low Cost ISOLATION AMPLIFIER |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S81600-7T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-7T(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-7TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-7TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
| IC42S81600-7TI(G) | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:4(2)M x 8(16) Bits x 4 Banks (128-MBIT) SYNCHRONOUS DYNAMIC RAM |
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