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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | IC42S32400-6BI |
| 英文描述： | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 32位× 4個(gè)銀行（128兆）內(nèi)存 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 59/62頁(yè) |
| 文件大小： | 899K |
| 代理商： | IC42S32400-6BI |
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IC42S32400
IC42S32400L
Integrated Circuit Solution Inc.
DR038-0C 02/01/2005
59
Figure 24.2.Precharge Termination of a Burst
(Burst Length=8 or Full Page,CAS#Latency=2)
T0
T 1 T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
T9
T10 T 11 T12 T13 T14 T15 T16 T17 T18 T19 T20 T21 T22
t
CK2
DAx0 DAx1 DAx2 DAx3
Ay2
Ay0
Ay1
RAx
RAx
RAy
CAx
RAy
CAy
Az0
Az1
Az2
t
WR
t
RP
t
RP
RAz
CAz
t
RP
RAz
CLK
CKE
CS#
RAS#
CAS#
WE#
BS0,1
A10
A0-A9
DQM
DQ
High
Write
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Activate
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Precharge
Command
Bank A
Command
Bank A
Precharge Termination
of a Write Burst.
Write data is masked.
Precharge Termination
of a Read Burst.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| IC42S32400-6BIG | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6T | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TG | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TI | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TIG | 1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| IC42S32400-6BIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6T | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TI | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
| IC42S32400-6TIG | 制造商:ICSI 制造商全稱:Integrated Circuit Solution Inc 功能描述:1M x 32 Bit x 4 Banks (128-MBIT) SDRAM |
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